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Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

kus1_iawbs2016 来源:未知 作者:胡薇 2018-09-26 11:32 次阅读

Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。

在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已发布的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终用户将由此获得更紧凑,更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。

Littelfuse还表示,采用SiC MOSFET技术的高效率的特点为许多要求苛刻的应用(电动和混合动力汽车(EV / HEV),数据中心和辅助电源)提供了多种优势。与类似额定硅绝缘栅双极晶体管IGBT)相比,LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可实现系统级优化,包括提高效率,增加功率密度,降低冷却要求以及可能降低系统级成本。

据称,与市场上其他业界领先的SiC MOSFET器件相比,该SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型应用包括:太阳能逆变器; 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS); 电机驱动; 高压DC / DC转换器; 和感应加热。

“该产品可以改善现有应用,Littelfuse所开发应用可支持网络,这可以在新的设计项目上有所帮助,”Littelfuse半导体业务部门Power Semiconductors全球产品营销经理Michael Ketterer说。“SiC MOSFET为传统的硅基功率晶体管器件提供了更优的替代方案。与类似额定值的IGBT相比,MOSFET器件结构可实现更低的周期开关损耗和更高的轻载效率,“他补充道。“固有的材料特性允许SiC MOSFET在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面超过其Si MOSFET对应物。”

新型1700V,1ΩSiCMOSFET具有以下优点:

1、针对高频,高效应用进行了优化;

2、极低的栅极电荷和输出电容;

3、用于高频开关的低栅极电阻

LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封装,管材数量为450。样品要求可通过全球授权的Littelfuse经销商提供。

Littelfuse公司

力特公司位于美国伊利诺伊州芝加哥市,主要为客户提供电路保护技术支持。包括保险丝,半导体,聚合物,陶瓷,继电器和传感器等。

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原文标题:力特公司推出首款1700V SiC MOSFET

文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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