Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上的产品更加丰富。
在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已发布的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终用户将由此获得更紧凑,更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。
Littelfuse还表示,采用SiC MOSFET技术的高效率的特点为许多要求苛刻的应用(电动和混合动力汽车(EV / HEV),数据中心和辅助电源)提供了多种优势。与类似额定硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)相比,LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET 可实现系统级优化,包括提高效率,增加功率密度,降低冷却要求以及可能降低系统级成本。
据称,与市场上其他业界领先的SiC MOSFET器件相比,该SiC MOSFET在所有方面都具有更好的性能。LSIC1MO170E1000的典型应用包括:太阳能逆变器; 开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS); 电机驱动; 高压DC / DC转换器; 和感应加热。
“该产品可以改善现有应用,Littelfuse所开发应用可支持网络,这可以在新的设计项目上有所帮助,”Littelfuse半导体业务部门Power Semiconductors全球产品营销经理Michael Ketterer说。“SiC MOSFET为传统的硅基功率晶体管器件提供了更优的替代方案。与类似额定值的IGBT相比,MOSFET器件结构可实现更低的周期开关损耗和更高的轻载效率,“他补充道。“固有的材料特性允许SiC MOSFET在阻断电压、特定导通电阻和结电容方面超过其Si MOSFET对应物。”
新型1700V,1ΩSiCMOSFET具有以下优点:
1、针对高频,高效应用进行了优化;
2、极低的栅极电荷和输出电容;
3、用于高频开关的低栅极电阻。
LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET采用TO-247-3L封装,管材数量为450。样品要求可通过全球授权的Littelfuse经销商提供。
Littelfuse公司
力特公司位于美国伊利诺伊州芝加哥市,主要为客户提供电路保护技术支持。包括保险丝,半导体,聚合物,陶瓷,继电器和传感器等。
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7310浏览量
214719 -
力特
+关注
关注
0文章
14浏览量
13414
原文标题:力特公司推出首款1700V SiC MOSFET
文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案

SemiQ发布1700V SiC MOSFET新品
SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中压大功率转换领域

泰克与远山半导体合作推进1700V GaN器件
业内首款1700V氮化镓开关IC登场!高耐压且效率大于90%,PI是如何做到的

GaN,又有新突破?

PI推出业界首款1700V氮化镓开关IC
Power Integrations推出1700V氮化镓开关IC, 为氮化镓技术树立新标杆

新品 | 900A 1700V Wave基板的EconoDUAL™ 3 IGBT7 模块

SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块

英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究

Littelfuse发布IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器
英飞凌1700V EconoDUAL™3 IGBT新产品及其在中高压级联变频器和静止无功发生器中的仿真研究

评论