知情人士表示,韩国三星电子(Samsung Electronics Co.)计划明年限制内存芯片产量,从而在预计内存芯片需求放缓之际保持供需平衡。该知情人士说,此举将有助于维持或推高半导体价格。他表示,三星目前预计动态随机存取存储器的位元成长率不到20%,而NAND闪存的位元成长率约为30%。三星今年早些时候表示,预计2018年DRAM内存和NAND闪存的位元成长率分别为20%和40%。
位元成长率是衡量内存芯片市场需求的一个关键晴雨表。较弱的预测可能导致芯片制造商削减诸如设备和材料订单的投资,同时限制供应,推高价格。目前三星是全球最大的NAND和DRAM生产商,与海力士半导体和一起,主导着智能手机、电脑和其他存储数字数据设备的关键原料供应。
如果三星真的削减DRAM内存的位元成长率,这表明该公司对目前的寡头垄断市场结构感到满意。“它倾向于保持供应紧张和价格高企,而不是冒着价格下跌的风险抢占市场份额,因此DRAM内存价格保持强劲的概率更高。”
三星就此拒绝置评。
半导体业务目前是三星规模最大、最赚钱的业务,因为它为自己的设备生产芯片,同时向其他智能手机制造商销售内存芯片。芯片业务在2017年创造了35.2万亿韩圆(合314亿美元)的营业收入,较上年同期增长了一倍多,帮助推动该公司的盈利达到创纪录水平。
在2017年创下历史新高之后,三星的股价今年以来下跌了7.3%。
本月早些时候,摩根士丹利(Morgan Stanley)以肖恩?金(Shawn Kim)为首的分析师预测,服务器端DRAM内存芯片的前景趋弱,并对库存增加发出警告。
根据市场研究公司IC Insights的数据,2017年内存芯片行业DRAM位元成长率为20%,仅为2016年40%的一半。虽然服务器推动了对内存的需求,但全球智能手机销售的停滞却引发了对半导体市场增长的担忧。
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原文标题:消息称三星将有意减缓明年内存芯片产出
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