华虹半导体宣布第二代0.18微米5V/40VBCD工艺平台已成功量产

10月10日，华虹半导体有限公司（“华虹半导体”）宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。

第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm2，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小芯片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-Area， SOA），保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。

该工艺平台提供丰富的可选择器件，包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外，该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse，从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。

目前，在与国内外多家客户紧密合作下，公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证，并成功进入量产。

以绿色科技为主导，电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理（PMIC）BCD工艺方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来，华虹半导体将继续发挥在BCD和eNVM特色工艺上的技术优势，提供二者的集成方案，为智能化电源产品，打造高端电源管理系统级芯片（SoC）。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示：“华虹半导体一直将电源管理平台视作工艺研发的重点之一，第二代0.18微米5V/40V BCD工艺量产标志着我们在PMIC领域的核心竞争力再度提升。展望未来，我们还将持续拓展更先进的智能电源管理平台，为客户提供差异化技术的竞争优势。”