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今年下半年DRAM价格走弱的原因分析

集成电路园地 来源:未知 作者:胡薇 2018-10-23 15:42 次阅读

历经9个季度的价格上扬态势,DRAM价格从今年第4季起开始反转走跌,市场对智慧型手机与伺服器需求动能出现杂音。不过,随着资料中心需求持续推升,未来伺服器DRAM可望成为成长力道最强劲的记忆体领域,DRAM大厂南亚科( 2408-TW )也在暌违5年后重返伺服器市场,要在需求越趋蓬勃发展之际,抢先站稳市场利基。

DRAM 去年市况转佳,市场供不应求的状态持续到今年第2 季,带动整体DRAM 报价走扬,第3 季起受到市场需求不如预期热络影响,价格涨幅已较第2 季大幅收敛,而在历经9 个季度的价格上升循环后,第4 季DRAM 受到产业需求动能平淡,市场呈现供过于求状态,导致价格开始反转走跌。

探究今年下半年DRAM 价格走弱的原因,包括智慧型手机规格难吸引旺季需求,加上伺服器市场出货动能出现杂音,及PC/NB 市场因英特尔平台供货不足而受到冲击等,都是影响因素。

即便市场对DRAM 后市转趋保守,就连原先市场最看好的伺服器需求也出现杂音,但在日前公布第3 季财报的法说会上,南亚科总经理李培瑛表示,在各应用别需求中,手机与伺服器市场最为健康,且伺服器记忆体为所有市场区块中,成长力道最大的,云端服务与各产业对伺服器需求持续发酵。

为迎接伺服器市场未来的强劲成长动能,南亚科正式重返缺席逾5 年的伺服器DRAM 市场,8Gb DDR4 伺服器产品近期已获美系资料中心大厂验证通过,第4 季将小量出货,并于明年放量,要强力抢攻伺服器市场,盼明年底前伺服器DRAM 产品可占整体出货比重超过1 成。

随着资料中心需求持续推升,未来可望成为伺服器DRAM 消耗量贡献最多的需求领域,2020 年后,除资料中心需求消耗量将更具规模外,5G 与边缘运算也将成为驱动记忆体成长的关键技术,使伺服器DRAM 成为未来成长力道强劲的记忆体类别,也让南亚科决定重返睽违5 年的伺服器DRAM 市场,除有利产品组合的多元化外,也能顺势迎接下一波需求浪潮。

美光强化在台布局后段封测厂,将启动打造一条龙制造

美商记忆体大厂美光科技(Micron) 去年3 月取得中科园区拍卖资产,规划在台建立后段封测生产基地,透过该基地与美光台中晶圆厂相邻的优势,使晶圆制造与后段封测集中于一处,除有利业务拓展外,也同时强化在台布局。该封测厂将于周五(26 日) 开幕,等于为美光在台打造一条龙DRAM 制造中心跨出关键的一步。

***美光目前在桃园与台中分别拥有12吋晶圆厂,为在台建立后段封测生产基地,美光在去年3月时,以新台币 27.52亿元价格,成功标得位于后里中科园区的达鸿先进科技拍卖资产,在中科建立与台中晶圆厂相邻的无尘室和设备,使美光晶圆制造与后段封测可集中于同一据点,并专注于建立集中式的后段封测营运。

取得中科后段封测生产基地,被美光视为在台建立DRAM 卓越制造中心的重要一步,由于将晶圆制造与后段封测结合在同一地点,生产周期将会更快速,对美光的业务拓展与客户端来说,均为有利的生产布局。

2016 年美光与原本台塑集团旗下DRAM 制造商华亚科合并后,成为***最大外商与外商投资者,而在台建立后段封测生产基地,打造一条龙的DRAM 制造中心,也等于宣示美光要在***持续扩大投资的决心。除原有的晶圆制造外,后段封测生产基地启动后,将强化美光在***的布局,也有助***成为全球记忆体的专业技术中心。

而就在中科后段封测厂即将开幕前夕,美光在今年8月底时宣布,将投资约30亿美元,在美国维吉尼亚州的工厂,同步扩充DRAM和NAND Flash产能,预计未来十年内,提供当地逾1000个工作机会。此为美光在***扩充DRAM产能与后段封测厂后,再次启动DRAM扩产计划,而该厂增建的无尘室预计于2020年上半年量产。

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原文标题:DRAM的未来在这个市场?

文章出处:【微信号:cjssia,微信公众号:集成电路园地】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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