由于各大内存厂产能“刹不住车”,NAND Flash快闪存储器和DRAM价格已经持续走低,终结了持续两年的市场供应紧俏状况。韩国SK海力士虽然第三季度销售额高达696亿人民币,同比增长40.9%,公司仍将采取措施以应对市场供过于求,价格下滑。
SK海力士表示将会调整设备方面的投资,降低产能,从而缩减成本。SK海力士将于明年第一季度末在M15工厂开始量产NAND Flash,从而降低公司对DRAM的依赖。另一方面,加速第二代10nm级别DRAM新技术开发,争取位于无锡的C2工厂年内完工并于明年第二季度开始量产。M11工厂由原来的主攻2D NAND Flash转变为新型的3D NAND Flash。
除此之外,SK海力士还将缩减资本支出,审时度势,对每一个季度加以检讨。SK海力士进一步表示,中国的消费者对于低端智能手机的高密度芯片需求不断增长,和全球紧张的贸易局势可能会对存储器市场带来变数,将会密切观察。
韩媒Digital Daily报道称,三星电子降低了利润较低的移动DRAM生产比重,提高了利润更高的DRAM供给,并且今年不会再进行DRAM和NAND Flash的新产线投资。而另一个内存大厂美光由于存储器需求和价格同步下滑,将会囤积库存,以放缓其价格下跌的速度。根据美光的说法,控制产能之外还会加速研发,以此来抢占未来DRAM的高端市场,其16Gb DDR5芯片会在2019年底量产,基于18nm以下工艺,这就意味着,搭载DDR5内存模组的系统最快2020年面世。
存储器产能高的离谱,价格不断走低,再加上全球贸易局势动荡,预示着半导体行业即将全面进入低谷期。
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原文标题:存储器价格走低!内存大厂纷纷控制产能
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