M6362A详细资料
1.M6362A是一款AC-DC反激式六级能效高性能开关电源适配器电源芯片,耐低温,能在-40℃环温正常工作,待机功耗小于75mW的,应用在60W范围。
2.M6362A提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(OCP),过载保护(OLP),VDD钳位电压,软启动功能和欠电压锁定(UVLO)。通过QR,CCM,Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件实现超低待机功耗,全电压范围下的最佳效率。具有抖频功能改善EMI性能。
3. 替换OB2362A,OB2281,OB2263,OB2273,SP5673,GR1837等。开关频率65KHz。
4主要用于高性能、低待机功耗和低成本的离线反激式电源适配器。
M6362A驱动外置MOSFET适用于高性能、低待机功耗、低成本的离线式反激开关电源。在满载时,IC在固定频率(65KHz)模式下运行。当负载降低时,工作在谷底导通的绿色工作模式,实现高功率下的高转换效率
。当负载很小的时候,芯片以“扩展的突发模式”运行,以减少待机功耗。因此,在整个负载范围内可以实现高转换效率。
M6362A的VCC极低的启动电流和低运行电流为启动和工作低功耗要求的设计中提供了可靠的应用保证。
产品特点:
优化EMI性能的抖频技术扩展的突发工作模式提高转换效率和极低的待机功耗
音频噪声处理功能全面的保护功能:VCC锁定与迟滞(UVLO)
VCC过电压保护(VCC OVP)在通用输入电压范围内固定输出功率限制的电流阈值设置
过载保护(OLP)及自动恢复功能外部(如果NTC电阻连接在PRT pin)或内部温度保护(OTP)与自动恢复功能
输出电压保护(输出OVP)与自动恢复OVP触发电压可由辅助绕组与PRT销连接的电阻调节
应用结构图
该电路图中R18,R19为反馈分压电阻,并且和U3(AZ431),U2(PC817)组成反馈电路,确保输出准确电压。为了使系统具有较好的动态响应特性,可以调节R20,C8,C9的值来改善AZ431的补偿,使环路具有较高的增益;另外需要调节R16的值使U2光耦发光二极管端能够把次级信号迅速反馈到芯片FB端精心跟随控制;D1,R4,R5,R6,C3组成RCD钳位电路,用来吸收Q1 MOSFET漏源尖峰电压
R1,R2,J1,R3,R11,C4,C5,C6,C15,D2,D3组成芯片的启动电路及供电环路;该电路为AC两级启动电路,可以有效的降低待机功耗,功耗可以控制在75mW以内,启动时间2S以内;注意当芯片的应用功率大于49W时,待机功耗小于210mW即可满足六级能效的要求。
VAR1为压敏电阻7D471可以吸收浪涌冲击电压,CX1为X2安规电容,CY1为共模安规Y1电容,以及共模电感LF1,LF2都起到EMC滤波效果
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原文标题:(满足六级能耗)高性能电流模式控制ICM6362A应用方案
文章出处:【微信号:mojay_semi,微信公众号:茂捷半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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