带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用 此封装。引脚中心距0.635mm,引脚数从84到196左右(见QFP)。
2、C-(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。
3、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装,用于ECLRAM,DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心 距2.54mm,引脚数从8到42。在japon,此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
4、Cerquad表面贴装型封装之一,即用下密封的陶瓷QFP,用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP好,在自然空冷条件下可容许1.5~2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3~5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。
5、CLCC(ceramicleaded chip carrier)
带引脚的陶瓷芯片载体,表面贴装型封装之一,引脚从封装的四个侧面引出,呈丁字形。 带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ-G(见QFJ)。
6、DFP(dualflat package)双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法,现在已基本上不用。
7、DIC(dualin-line ceramic package)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).
8、DIL(dualin-line)DIP 的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。
9、DSO(dualsmall out-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。
10、DICP(dualtape carrier package)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利 用的是TAB(自动带载焊接)技术,封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI,但多数为定制品。 另外,0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在japon,按照EIAJ(japon电子机械工 业)会标准规定,将DICP命名为DTP。
11、DIP(dualtape carrier package)同上。japon电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。
12、FP(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。
13、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点 与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技 术中体积最小、最薄的一种。 但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同,就会在接合处产生反应,从而影响连接的可靠 性。因此必须用树脂来加固LSI芯片,并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。
14、FQFP(finepitch quad flat package)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。
15、CPAC(globetop pad array carrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。
16、CQFP(quadfiat package with guard ring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一,引脚用树脂保护环掩蔽,以防止弯曲变形。 在把LSI组装在印刷基板上之前,从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装 在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm,引脚数最多为208左右。
17、H-(withheat sink)表示带散热器的标记。例如,HSOP表示带散热器的SOP。
18、pingrid array(surface mount type)表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装,引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚,其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法,因而也称 为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm,比插装型PGA小一半,所以封装本体可制作得不 怎么大,而引脚数比插装型多(250~528),是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶 瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。
19、LQFP(lowprofile quad flat package)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP,是japon电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。
20、L-QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝,基导热率比氧化铝高7~8倍,具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝,芯片用灌封法密封,从而抑制了成本。是为逻辑LSI开发的一种封装, 在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装,并于1993年10月开始投入批量生产。
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原文标题:工程师必知的PCB设计封装术语大汇总
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