碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列,并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET器件。新产品基于高效的共源共栅配置,可为设计人员提供非常快的开关速度和较高的功率,并且其封装能够满足高功率应用的散热要求。
Kelvin封装可以避免栅极振铃和错误触发,否则需要降低开关速度以管理3引线封装带来的较大共源极电感。采用4引脚的Kelvin连接封装,使器件具有175°C的最高工作温度、出色的反向恢复、低栅极电荷以及低达2倍的开关损耗。
电动汽车(EV)充电系统、电信和服务器电源等应用领域的设计人员在进行图腾柱(Totem Pole)PFC级、LLC和相移全桥转换器等设计时,可以采用全新的UF3C系列产品实现更高的开关速度、效率、易用性和功率密度。
与其他宽带隙技术相比,SiC共源共栅器件能够提供标准的12V栅极驱动,并具有确定的雪崩额定值(100%经过生产测试)。UF3C FAST系列中的4端子封装产品能够通过简单的螺钉或夹具安装,具有极低的结至外壳热阻,在给定功率或更高功率运行时,只有较低的温度上升,能够充分利用SiC的较高结温能力。
UnitedSiC工程副总裁AnupBhalla表示:“新增加的UF3C FAST系列共源共栅器件采用4引脚TO-247封装,即使在更高的开关频率下也非常容易使用,它们在高功率设计中能够实现最高效率和出色的散热性能。”
新发布的产品系列包括以下部件:UF3C120040K4S(1200V/40mΩ)、UF3C120080K4S(1200V/80mΩ)、UF3C065030K4S(650V/30mΩ)、UF3C065040K4S(650V/40mΩ)和UF3C065080K4S(650V/80mΩ))。
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