英飞凌新推氮化镓开关管驱动芯片

随着市场对高功率高电压材料的需求增长，全球第三代半导体材料开始备受关注。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大 功率器件 。目前很多国家（也包括中国）都把发展第三代半导体材料及其相关器件等列为半导体重要新兴技术领域，投入巨资支持发展。

近日，全球知名的半导体厂商英飞凌科技股份公司推出了氮化镓（GaN）解决方案CoolGaN™600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER™IC）。据悉，英飞凌产品的优越性包括：它们具备更高功率密度，可实现更加小巧、轻便的设计，从而降低系统总成本和运行成本，以及减少资本支出。

CoolGaN拥有行业领先的可靠性

随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出，目前，英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等材料的全系列功率产品的公司。最新发布的CoolGaN 600 V增强型HEMT采用可靠的常闭概念，它经专门优化，可实现快速开通和关断。它们可在开关模式电源（SMPS）中实现高能效和高功率密度，其优值系数（FOM）在当前市场上的所有600 V器件中首屈一指。

CoolGaN开关的栅极电荷极低，且具有极少输出电容，可在反向导通状态下提供优异的动态性能，进而大幅提高工作频率，从而通过缩小被动元器件的总体尺寸，提高功率密度。 英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正（PFC）变流器里具有超高的能效（2.5 kW PFC能效 > 99.3％）。相同能效下的功率密度可达到160 W /in3（3.6 kW LLC能效 > 98％）。在谐振拓扑中，CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

据悉，CoolGaN拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中，我们不仅对器件本身进行全面测试，而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN开关满足甚至优于最高质量标准。CoolGaN 600 V增强型HEMT可提供70 m?和190 m?的SMD封装，确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品，英飞凌旨在支持高频运行的应用，如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。氮化镓开关管专用驱动IC（GaN EiceDRIVER IC）。

同步推出 GaN EiceDRIVER栅极驱动IC

英飞凌新推出的氮化镓开关管 驱动芯片 EiceDRIVERIC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发，以确保CoolGaN开关实现强健且高效的运行，同时最大限度地减少工程师研发工作量，加快将产品推向市场。

不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC，这个针对英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压，以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内，GaNEiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响，哪怕是首脉冲，这对于SMPS实现强健运行至关重要 。

氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaNHEMT开关转换速率，几乎不受工作循环或开关速度影响 。这可确保运行稳健性和很高能效，大大缩短研发周期 。它集成了电隔离 ，可在硬开关和软开关应用中实现强健运行，还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护，并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。据了解， GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引脚LGA 5x5 mm封装，1EDF5673F采用16引脚DSO 150 mil封装，1EDS5663H采用16引脚DSO 300 mil封装。供货全新CoolGaN 600 V增强型HEMT现已开始供货，硅基GaN EiceDRIVER IC可供预订 。