美国SSDI推出GaN FET 用于航空航天及电力电子系统

美国固态设备公司（SSDI）推出用于航空航天和国防用高压氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）SGF46E70系列，可用于高效DC-DC、PoL转换器、电机控制器、机器人和自动化。

SGF46E70系列是46A、700V，可选TO-254通孔封装和SMD1表贴封装。SGF15E100是15A、1000V，采用TO-257封装。两个系列均是结合了GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）驱动器的共源共栅器件。

GaN产品以其改进的品质因数（RDS（ON）x QG）而闻名，与传统硅MOSFET相比，可提供更快的开关速度。低压、非密封GaN器件广泛用于商业应用，但SSDI专注于高功率、高压航空航天和国防应用的密封解决方案。