声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
恩智浦
+关注
关注
14文章
5857浏览量
107319 -
GaN
+关注
关注
19文章
1933浏览量
73286 -
蜂窝
+关注
关注
0文章
122浏览量
25157
发布评论请先 登录
相关推荐
在航空航天应用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射频功率放大器
电子发烧友网站提供《在航空航天应用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射频功率放大器.pdf》资料免费下载
发表于 09-04 09:34
•0次下载
1.2-1.3GHZ频段的的VTX 射频芯片方案
想整个1.2-1.3GHZ频段的的VTX 应用,diy下,不知哪位大侠有相关频段的射频芯片+PA介绍,是1.2--1.3Ghz,不是5.8GHZ (RTC6705+RTC6659E方案),跪求~
发表于 06-18 09:00
SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
中产生选择性掺杂的主要方法。将其用于宽带隙器件处理时存在一些挑战。在本文中,我们将重点介绍其中的一些,同时总结它们在GaN功率器件中的一些潜在应用。01有几个因素决
氮化镓(GaN)功率集成电路(IC)开发的优势与挑战
氮化镓(GaN)功率器件以离散形式已在电源充电器的应用领域得到广泛采用。在电源转换应用中,GaN高迁移率电子晶体管(HEMT)的诸多材料和器件优势也推动了它在多样化应用中的电源转换使用
GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法
氮化镓具有许多内在材料优势,如宽能隙和高电子迁移率。当用作横向高电子迁移率晶体管(HEMT)器件时,这些特性可用于获得功率转换性能优势,因为其无反向恢复损失且电容相对较小。随着这项技术
AM08012041WN-XX-R GaN MMIC 功率放大器
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款宽带GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
发表于 03-15 09:36
功率GaN的多种技术路线简析
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)功率GaN的大规模应用,其实也只有六七年的历史,从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前,从晶体管来看,功率GaN主要的产品是HEMT(
功率GaN,炙手可热的并购赛道?
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)继去年英飞凌收购GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽车芯片大厂瑞萨也收购了功率GaN公司Transphorm。 Transphorm在2022年
CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与
发表于 01-19 09:27
航空航天领域中的GaN功率器件(下)
由于宇航电源整体及其组件面临的综合挑战,GaN功率器件的全面应用至今尚未达成。但是,随着GaN功率器件辐照强化及驱动方式的创新改良,宇航电源将会得到更大助推。
结合
评论