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存储器三雄修正扩产步伐 内存“暴利”大势已去?

MZjJ_DIGITIMES 来源:工程师曾暄茗 2018-12-22 10:26 次阅读

对于存储器厂商而言,很难想象,冬天可以来得这么快。从2018年开始,NAND闪存价格已出现疲软,并将持续到2019年,而DRAM内存价格在第三季度也由涨转跌,美国存储器大厂美光公司也受此影响而进行业务调整。

12月19日,美国存储器大厂美光公司发布了截至11月29日的2019财年一季度财报。报告显示,美光当季营收79.1亿美元,同比增长16%,环比下降6%;净利润32.9亿美元,同比增长23%,环比下滑24%。然而,赚钱带来的兴奋却无法抵御寒潮的来袭,美光指出其客户“需求减弱”并且“近期可见度有限”。

美光预计,2019年DRAM和NAND需求将减弱,因此下调了第二财季的营收,预计为57亿到63亿美元之间,低于分析师预期的72.6亿美元,美光股价在盘后下跌近9%。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在此次财报会议上表示,“我们正采取果断行动,包括大幅降低2019财年12.5亿美元的资本开支”,以减少NAND 及DRAM产量维持价格。

由于担心芯片需求环境可能进一步恶化,并对利润施加更多压力,投行 Needham 的分析师 Rajvindra Gill 将美光的评级从买入下调至持有,并表示“虽然我们对于在此估值水平下调降评级感到犹豫不决,但我们认为整体需求环境至少在未来 6 个月内仍将维持低迷,因此我们转向观望。”

对于美光而言,虽然已经从2018年64.66美元股价高点下跌超过50%,但似乎还有一段路要走。

存储三雄调整产能 因应市场变局

调研机构IC Insights发布的《The McClean Report》报告指出,继DRAM厂于2017年第4季之后,DRAM平均售价(以及随后的市场增长)已经处于或接近其峰值,DRAM产业可能将经历长期间的景气向下格局。

IC Insights表示,在过去两年中DRAM 制造商一直处于接近满载状态,2017年资本支出跳增81%,今年持续攀升40%,这导致DRAM 价格稳步上升,并为供应商带来可观的利润。但是,这种情况预计未来供给将淹没市场,为价格趋缓的先期指标之一,而这将使得“冬天”恐达2年之久。

面对着内存市场的寒冬来临,除了美光,三星与SK海力士也纷纷进行业务调整,“弥补损失”。目前,这三者在DRAM产业的全球市场份额达到90%以上。

三星目前已经削减了存储芯片扩产计划以阻止价格进一步下滑,其表示2018年DRAM内存的产量位元增长率(bit growth)将低于年初预测的20%,而NAND闪存的位元增长率将为30%(此前预测为40%)。同时,根据相关消息显示,三星2019年的资本支出将下滑8%,其中DRAM内存投资大砍20%。

另一边,SK海力士在此前的2018Q3财报会议上亦表示,将调整在2019年第1季末开始量产NAND Flash快闪存储器的M15工厂产能,以降低SK海力士对DRAM的依赖。而位于无锡的C2工厂,也将把原来2y(20nm)和2z(20nm)的DRAM生产制程,优化成1xnm(10nm后期)的产品,以降低生产成本,并将在2019年第2季量产。至于,以生产NAND Flash快闪存储器为主的M11工厂,则将把2D NAND Flash转换为生产3D NAND Flash,也是因为就生产成本来进行的考量。

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原文标题:存储器三雄修正扩产步伐 内存“暴利”好光景已逝?

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