据麦姆斯咨询介绍,从理论角度来看,GaN与传统的硅基MOSFET相比具有惊人的技术优势。尽管与32.8亿美元的硅基功率半导体市场相比,目前功率GaN市场仍然很小,但GaN器件有信心渗透到不同应用中:例如,激光雷达(LiDAR)则是充分利用功率GaN家族中高频开关的高端解决方案。LiDAR和其他各种应用市场增长的累积正是GaN市场稳步增长的第一部“剧本”(基本案例场景)。
然而,这并不是唯一的可能。是否有其他可能引发功率GaN市场爆炸的杀手级应用呢?
事实上,一些厂商已证实苹果公司对基于GaN技术的无线充电解决方案感兴趣。毋庸置疑,苹果或其他智能手机巨头透露出看好GaN潜在应用的态度将彻底改变市场动向,并最终为功率GaN器件行业带来生机。我们设想,如果苹果等公司一旦采用功率GaN器件,众多公司必将追随。但事实是功率GaN最大的市场仍然来自电源应用,如手机快速充电。今年Navitas和Exagan已推出一款集成了GaN解决方案的45 W快速充电电源适配器。
在电动汽车(EV)市场中,哪些主要逆变器正在由SiC取代硅基IGBT?其中GaN扮演什么角色?许多厂商,如EPC(宜普电源转换公司)和Transphorm已经通过了车规认证,正为功率GaN未来的爆发蓄势。此外,BMW i Ventures(宝马风险投资公司)对GaN Systems公司的投资清楚地表明了汽车行业对GaN解决方案用于电动汽车及混合动力汽车(EV/HEV)的浓厚兴趣。
众观全局,Yole认为第二种“剧本”(下图中用公牛图案标注)引起的增长将更为积极,到2023年其市场规模将达到4.3亿美元,复合年增长率(CAGR)高达87%。
该报告体现了Yole对GaN在不同细分市场实现的理解,并给出了两种可能的“剧本”。报告还对功率GaN分立器件和IC器件市场进行了全面的预测,以及对市场当前动态和未来演变的理解。
功率GaN供应链:初创企业与行业巨头同场竞技
自从首款商用GaN器件面世以来,已经过去了八年。功率器件行业的人们对积极推广GaN技术的初创企业名称也越来越熟悉。GaN初创公司的名单越来越长,已不足为奇:EPC(宜普电源转换公司)、GaN System、Transphorm、Navitas等等都是其中的新秀。这些初创企业大多选择代工厂制造模式,主要使用台积电(TSMC)、Episil或X-FAB作为首选伙伴。同时,随着GaN市场的兴起,其他代工厂可能也会提供这种服务。如前一节所讨论,如果市场突然爆发,代工模式为无晶圆厂(fabless)或轻晶圆厂(fab-lite)初创企业提供了迅速发展的可能性。
令人着迷的是,随着这些GaN初创公司的出现,有着截然不同特征的公司与行业巨头如英飞凌(Infineon)、安森美(On Semi)、意法半导体(STMicroelectronics)、松下(Panasonic)和德州仪器(Texas Instruments)在同一竞技场展开竞争。2018年发生的几件事情值得我们注意:
- 英飞凌宣布将于2018年底开始批量生产CoolGaN 400V和600V增强型HEMT。
- 意法半导体和CEA Leti宣布利用Leti的200mm研发线合作开发用于二极管和晶体管的硅上氮化镓(GaN-on-Si)技术,有望在2019年完成工程样品验证。同时,意法半导体计划在2020年前在法国图尔市的前道晶圆厂建立一条完全满足要求的生产线,包括GaN-on-Si异质外延生产线。
这些IDM厂商将利用其垂直整合方式为市场带来具有成本竞争力的产品。
这份报告提供了功率GaN行业全局介绍,涵盖了从外延、器件设计到器件工艺的产业链。此外,还讲解了Yole对市场当前动态和未来发展的理解。
GaN是具有成本效益的解决方案吗?
在最终的电子产品中集成GaN解决方案是非常吸引人的想法:如果设计得当,将提高系统效率,系统可以在更高的频率下工作,从而减小无源元件尺寸。这对于终端用户来说优势显著……但这是真的吗?
市场在引入新技术时,成本是需要考虑的关键因素之一,但目前成本不是GaN的优势。GaN器件的主要竞争者是硅基MOSFET,后者已经上市多年,提供非常具有竞争力的成本,并且平均效率高、质量优良、可靠性极高。目前,只有EPC一家公司声称其低压晶圆级封装产品与硅基MOSFET价格相当。然而,当提高标准封装和电压要求时,GaN产品将比硅基产品成本更高,这成为GaN器件广泛应用的主要障碍。
许多供应商已经开始采用集成系统以获得系统级成本竞争力。不管是耗尽型解决方案,还是增强型集成解决方案,对于终端用户来说这都是一种易于使用的产品。我们还发现系统级封装解决方案包括德州仪器和Exagan的硅基产品、以Navitas为例的将驱动器、ESD保护和其他功能集成的单片集成解决方案。
该报告从成本角度讨论未来几年的器件技术和前景,不仅包括硅基和GaN产品,还包括无源和集成解决方案。
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原文标题:功率氮化镓:外延、器件、应用及技术趋势-2018
文章出处:【微信号:gh_030b7610d46c,微信公众号:GaN世界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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