对应于0.5V低输入电压的1A高速LDO电压调整器

对应于0.5V低输入电压的1A高速LDO电压调整器

XC6602/XC6603/XC6604系列产品因为能从0.5V的输入电压开始工作，且导通电阻低，最适用于需要在低电压带高效率地输出大电流的应用目的。

各个系列产品都搭载了软启动功能，进而XC6603系列产品能用外置的电容调整软启动功能的启动上升时间。此外，XC6604系列产品搭载了能从外部改变电流的限定电路，用外置电阻调整电流的限定值。

用N沟道MOS驱动器实现了低输入电压，低电压差，低输出电压

既往的LDO如图1所示，把P沟道MOS晶体管作为驱动晶体管使用。这种情况下，驱动晶体管的VGS变得最大成为VIN-VSS之间的电压，因为随VIN降低VGS也下降，倾向于电压超低导通电阻也越高。此外，为了使IC工作，不能把VIN降低到所需要的电压以下。

另一方面，如图2所示，把N沟道MOS晶体管作为驱动晶体管使用的情况下，因为驱动晶体管的VGS变得最大成为VBIAS-VOUT之间的电压，从3V系列/5V系列等高电平实施VBIAS偏置，并且VOUT的电压越低VGS则增高，能在低导通电阻下工作。

如把N沟道MOS晶体管作为驱动晶体管，即使在类似VIN=1.2V，VOUT=1.0V的低电压差的条件下，也能提供大电流。（图3）

XC6603系列产品，能从外部调整软启动

因为软启动电流能防止IC启东时从VIN流入VOUT的冲击电流，从而可以抑制由于冲击电流引起的VIN线路上的电压变动。

此外，在图3所示的使用电路事例中，不用担心由冲击电流引起前端IC的过电流保护启动，还能实施程序控制。既然是低导通电阻，还能实现不使冲击电流给其他IC带来恶劣影响、电源电压圆滑地启动上升。

虽然XC6602，XC6604系列A型产品的软启动时间在内部设定为430μs，而XC6603系列产品则能用外置电容（CSS调整）。由此能实现相对于冲击电流的最佳软启动时间。

测量条件：VBIAS=3.6V, VIN=1.5V, VOUT=1.2V, VCE=0V-3.6V(tr=5μs), IOUT=100mA, CBIAS=CIN=1.0μF, CL=10μF, Ta=25°C

*在SS引脚成开路时的情况下，软启动电路不工作，与不具备软启动功能的产品相同地工作。VSS短路时VOUT不启动上升。

XC6604系列产品，能任意设定限定电流值

XC6602/XC6603/XC6604系列产品的限定电流电路，当超过了最大输出电流，达到一定的电流值后限定电流电路（反馈电路）开始工作，逐渐地降低电流值，能防止损坏IC。

各个系列产品的限定电流值由内部设定为1.3A（TYP.），进而XC6604系列产品还能配合必须的电流范围由外置电阻（RLIM）任意地调整。

测量条件:VBIAS=3.6V, VIN=1.5V, VOUT=1.2V, VCE=VBIAS, CBIAS=CIN=1.0μF, CL=2.2μF, Ta=25°C