据报道,2019年内存制造商试图通过减缓产能扩张的手段,来避免价格竞争并保持盈利能力。2019年,DRAM市场产量的总资本支出预计约为180亿美元,同比减少10%。
美光宣布将资本支出削减至30亿美元,产能增幅从20%下修到15%左右;SK海力士2019年的资本支出将减少至55亿美元;三星宣布终止其平泽工厂的产能扩张,三星半导体年产量增长率降至20%左右,创历史新低。
这两年,DRAM芯片和内存条价格经历了一波疯涨,如今已经慢慢回归理智,而在另一方面,NAND闪存产能一直很充裕,SSD固态硬盘的价格也是持续走低,性价比越来越高。
但是这对于内存、闪存芯片厂商来说,并不是好消息,三星电子、SK海力士、美光三大巨头就不约而同地要开始刻意控制产能了。
美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度财务电话会议上表示,当前DRAM内存芯片市场查能过剩、库存持续增加,导致价格下跌、拖累产业。
美光预计明年内存芯片产能增幅为15%,低于此前预期的20%,NAND闪存芯片也只会增长35%,低于此前预计的35-40%。
为了解决供过于求的问题,美光计划将明年全年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元,以减少DRAM内存、NAND闪存芯片产能。
不过产能调整需要时间,美光预计可能要明年下半年才会恢复供需平衡。
同时,三星、SK海力士也有类似的减产计划,三星更是会增加晶圆代工市场份额,以弥补芯片降价带来的损失。
市调机构IC Insights预计,明年半导体行业的整体资本支出可能会比今年减少12%,其中三星、Intel、SK海力士、台积电、美光三巨头合计减少14%,其他减少约7%。
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原文标题:手法真多!三星、美光、SK海力士联手减产!
文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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