大心电子即将在2019年一月推出最新一代的PCIe SSD主控芯片Libra EP280

大心电子(EpoStar Electronics Corp.) 于2017年初推出PCIe NVMe入门级固态硬盘主控芯片Orion EP160，为加速SSD固态硬盘从SATA接口转到PCIe接口的潮流，注入了一股巨大的推力，并在很短时间内导入量产并获得多家客户采用。为提供客户更多样的选择，大心电子即将在2019年一月推出最新一代的PCIe SSD主控芯片Libra EP280，目标定位在高阶消费类、数据中心、及入门企业级的应用。

成立于2014年底，专注于固态硬盘的技术研发与设计，大心电子是由一群在固态硬盘领域，深耕多年的专业团队组成。大部分的成员拥有超过十年以上，包括消费级以及企业级固态硬盘设计的经验。特别在关键的 NVMe 控制器，LDPC错误更正，以及固件支持上，有着领先业界的技术，已获得多项专利。

Libra EP280支持PCIe Gen3x4 NVMe 1.3规格，FLASH接口共有八通道，采用了创新的主控架构。大心电子CEO李明豪博士表示，目前市面上的PCIe 3x4 方案，性能很少能突破600K IOPS随机读写，大多数都是介于300K IOPS跟500K IOPS之间，原因就是多数主控架构沿袭了旧的思维，主要依靠CPU运行FTL，软硬件之间的沟通产生性能的瓶颈。大心电子投入近两年的时间，研发出创新的架构，并发表了多项专利，而这个创新架构的核心精神，就是EP280内建的 Advanced Data Manager (ADM) 模块，Advanced Data Manager最主要的设计理念在于利用硬件加速方式有效提升FTL的运行效率，并大幅降低对DRAM带宽的要求。 EP280顺序读取及写入性能分别可达3.5 GB/s及3.4 GB/s，而在4KB随机读写上可超过800K IOPS，性能明显优于业界同等级主控芯片。此外，基于ADM的设计，EP280 只须内建2个ARMCortex R4 CPU，16-bit DQ的DRAM界面，大幅降低了EP280的功耗。EP280 采用台积电28奈米制程，全速运作时的功耗只有2.4W，有别于目前市场上PCIe 3x4方案发热的问题，EP280提供了一个在狭小的装置空间里，也能够稳定运行的高性能、低功耗方案。

除了高性能的特性外，ADM搭配大心电子高效能NVMe 控制器运作，让EP280在低延迟 (low latency) 及性能的一致性上 (performanceconsistency) 也有很好的表现，更能满足企业级SSD产品对QoS的要求。大心电子的NVMe控制器已授权许多国际知名大厂使用，其性能表现的到高度的肯定。EP280内建大心电子第二代的LDPC错误更正技术，大心电子CTO颜恒麟博士表示，LDPC算法复杂，尤其在高错误更正能力及高吞吐量的要求下，LDPC通常都是主控芯片中面积最大，功耗最高的模块。LDPC一直是大心电子的研发重点，大心电子在降低LDPC的面积及功耗上取得了许多专利，而先进的硬解码及软解码算法，具备业界领先的错误更正能力，可支持最新的3D TLC/QLC闪存，并且可大幅延长固态硬盘的寿命。EP280具备数据加密的功能，支持TCG Opal、Pyrite以及国密SM2/3/4等标准，在讲求数据安全的应用上提供完整的解决方案。EP280内部有完整的数据保护 (End to End Data Protection)，提供客户可靠的数据储存保证。此外，EP280 Flash八通道的设计，支持容量可达8TB，满足大容量的需求，适合应用于企业级、高阶消费级及工控领域SSD，尤其在电竞及VR虚拟现实的市场需求带动下，可加速数据传输并降低延迟，提供更好的用户体验。

大心电子同时也提供基于EP280主控芯片完整的固件及M.2 2280参考设计方案，支持目前市场上最新的3D TLC/QLC NAND Flash，大心电子提供的固件方案采用了大心的FTL专利技术，无论是硬盘的寿命、可靠性、或是断电保护，都可以通过严苛的的测试条件，协助客户加速导入EP280的量产时程。

大心电子全系列PCIe SSD芯片皆提供Reference Design Kit (RDK) 及Turnkey两种方案，由客户自行选择合作方案，提供给客户一个可靠、高性价比的选择。大心电子COO谢幼龄表示，无论是RDK或是Turnkey的合作模式，最重要的关键还是在于给客户即时且深入的技术支持，PCIe SSD行业特性就是高技术门坎、产品高度客制化，主控芯片厂商以更开放的心态与下游客户紧密合作，才能有效且快速的解决问题，并协助客户透过产品差异化，在高度竞争的市场中胜出。