凛冽寒风不能吹散“中国芯”的热情,1月22日风林火山—忆芯STARBLAZE新品发布会在黄浦江畔举行。
这是继2017年底,忆芯科技发布公司首颗SSD控制芯片——STAR1000后,忆芯再度祭出升级版新品——STAR1000P,以期在国产芯中占据有利位置。
平地春雷到“风林火山” 忆芯蜕变
此次发布会上,忆芯对外推出了第二代NVMe SSD控制器——STAR1000P。据介绍,STAR1000P,走PCIe 3.0 x4通道,支持NVMe 1.3规范,可支持8个闪存通道、最大挂载32TB闪存容量,兼容市面主流的3D TLC/MLC。
性能方面,STAR1000P实现了3.5GB/s和3.2GB/s的顺序读写以及600K IOPS以上的随机读写性能,最低8us的写延迟,助力数据中心关键应用。STAR1000P除支持国际AES加密标准以外,也全面支持中国商密(SM2/3/4) 安全方案。此外,官方还强调了极佳的低功耗表现,号称在全性能模式下仅2W左右。
高级特性上,STAR1000P采用忆芯科技第三代StarLDPC纠错码技术,同时此芯片增强了NVMe PI,EEEC, In-line ECC等软错误处理技术,以满足工业及企业级高可靠性要求。
忆芯CEO沈飞
忆芯CEO沈飞表示:“STAR1000P正式研发始于2017年10月9日,其中包含了40名硬件工程师,经过286个日夜,提交310万行设计验证代码,解决了552个JIRA和66项专利。终于在2018年7月16日正式流片,并于今天发布,将会在2019年4月份完成量产版本。”
而在此之前,忆芯已于2017年底推出了STAR1000P的前身——国内首款商用NVMe SSD控芯片STAR1000。
其疾如风,其徐如林,侵掠如火,不动如山,本应应用在战场上的兵法此时拿来套用在忆芯的发布会,也毫无违和感。据沈飞介绍,“风林火山”分别对应忆芯发布的四款解决方案。
风:STAR1200C,高性能、低功耗NVMe消费级解决方案;
林:OC SSD,基于定制化Open-Channel接口的数据中心解决方案;
火:STAR1200E,低功耗、高性能NVMe企业级解决方案;
山:DeepSSD,赋能监控市场KV存储应用,有效加速数据聚类、分组计算。
从2017年的平地春雷到2018年的风林火山,从1000到1000P,沈飞表示:“我们已经实现从跟跑变成领跑,从配合客户开发,到如今带着完整的四大方案,完成了属于自己的蜕变。”
值得一提的是,据沈飞的透露,忆芯还将祭出“大招”——智能存储主控STAR2000。按照忆芯规划,STAR2000于2018年11月正式开始研发,计划2019年下半年开始流片。除了性能上的提升,顺序读性能>7.2GB/s,随机读性能>1.6M IOPS,STAR2000还集成多簇多核CPU,支持CNN硬件加速和NAND存内计算。”
存储芯片国产化之路 能否吹响胜利号角?
国内一直处于“缺芯少魂”的尴尬境地,2018年的国产芯热潮并没有改变太多境况。据海关总署公布的数据,2018年全年,我国集成电路的进口额3120.58亿美元,同比增长19.8%。2018年Q1,中国存储芯片进口额达146.72亿美元,同比猛增75.4%。
此外,大韩贸易投资振兴公社及半导体行业周四发布的数据显示,2017年中国存储芯片进口总额达886.17亿美元,同比增长38.8%。中国是全球最大的存储芯片市场,国内总存储的消耗量占全球的50%,然而,根据政府发布的报告,国内自主开发的存储芯片市场份额几乎为零。
中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和
中国半导体行业协会常务副秘书长宫承和在发布会上也表示,现今国内半导体技术水平上高端、高性能、高可靠的芯片设计以及生产相对落后,整体上还需一定时间。
尽管存在一定的差距,但在受制于人多年后,国产存储芯也开始以新玩家的身份进入赛道。
目前,在闪存方面有紫光旗下的长江存储入局且进展顺利。2017年年底长江存储研发出32层64G的完全自主知识产权的3D NAND芯片;2018年底,32层3D NAND FLASH已经推出;按照紫光的计划,在2019年底前还将推出64层产品。此外,长江存储还对外公布了其全新的3D NAND架构 Xtacking。
更值得一提的是,2018年12月,紫光存储与群联达成了战略合作协议。此次合作之后,未来有可能出现长江存储供应NAND闪存,群联提供主控,紫光存储做品牌,推出紫光自己的SSD产品。
而在主控芯片,作为国内SSD主控的重要玩家,联芸科技于2016年3月推出其首款支持3D NAND闪存颗粒的SSD主控器(MAS080X)实现量产;2017年5月推出的MAS090X系列SSD主控器可支持全球目前推出的所有已经量产3D NAND闪存颗粒。
尽管在半导体领域还与世界存在一定差距,但随着摩尔定律的放缓,人工智能还未形成标准,宫承和认为,国内半导体有可能实现弯道超车,“现在是一个好的追赶时间节点。”他表示,2018年是中国芯片蓬勃发展的一年,2019年也将会是“国产芯”创造新奇迹的一年。
忆芯CEO沈飞认为:“经过2017年存储颗粒价格飞涨,到2018年的下跌,该市场已经开始洗牌,我们希望更多公司能和我们一起在世界市场上大展身手。”
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原文标题:【IC设计】国产存储芯片“新奇迹” 忆芯风林火山崛起
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