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最实用的栅极驱动芯片选型指南

QjeK_yflgybdt 来源:cc 2019-01-29 09:58 次阅读

英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案,用于驱动MOSFETIGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器,从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。

理想的解决方案适用于工业电机驱动、太阳能逆变器、电动商用车CAV,电动汽车充电桩机器人、UPS、服务器和通信电源、白色家电和小家电、电池驱动应用和高电压照明等市场的数百种终端应用。本文基于不同的终端应用,为您推荐最适合的栅极驱动芯片。在文末还有一个小测试,第3位、第13位以及第23位回答正确的读者将有机会获得我们送出的“EVAL-1ED44176N01F低边栅极驱动器评估板”。

家用电器

英飞凌门极驱动芯片运用行业领先的电平转换绝缘体上硅(SOI)和PN结隔离(JI)技术,帮助您实现家用电器领域对可靠性、安全性和高效性的最严苛要求。实现更高水准的功率与效率。

工业应用

提供高质量、可靠、耐用并能承受严酷环境的解决方案。英飞凌的门极驱动芯片是您最专业的选择。运用英飞凌完备的产品选型方案,消费者可以快速、高效的设计工业领域的任何系统。

电池驱动的应用 & CAV

无论是充电桩、低速电动车,还是服务机器人、无人机,英飞凌都提供可配置的半桥驱动与三相驱动芯片。配合英飞凌的功率MOSFET一起为用户提供高效的解决方案。除此之外,英飞凌还提供AEC-Q100标准的车用级门极驱动芯片,用于各类电动汽车。

在电池驱动的应用当中,节能是十分重要的一环。英飞凌的门极驱动芯片可以帮助消费者达到最高的精度与能源的最高效利用。

新能源—太阳能逆变器

太阳能光伏发电的最重要目标就是提高能源的利用率。哪怕只提高1%的能源利用率,对新能源企业的营收也能起到很大的改善作用。

英飞凌门极驱动选型

碳化硅SiC MOSFET驱动要求

碳化硅MOSFET具有极佳的快速开关性能,英飞凌提供1200伏的CoolSiC™碳化硅MOSFET以供客户选择。英飞凌的隔离型门极驱动,基于无铁芯变压器技术,以其强大的驱动能力和保护功能而著称,可以轻松地驱动1200伏的碳化硅MOSFET,并提供可靠的电气隔离。这些驱动器拥有许多驱动SiC MOSFET的关键优势,极短的传输延迟,精准的通道间匹配和输入滤波,超宽的输出范围和负电压驱动能力,以及极佳的共模瞬变抗扰度(CMTI)。

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原文标题:应用指南 | 如何选择合适的栅极驱动芯片

文章出处:【微信号:yflgybdt,微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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