WBG功率器件的仿真技巧研究
新兴的宽禁带(WBG)碳化硅和氮化镓功率器件越来越广泛地应用在电力电子产品中来提升效率和功率密度. 培训内容介绍了WBG功率器件特性, 及应用. 并且详细的分析了开关性能,损耗计算以及测试,仿真技巧.
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
112文章
7971浏览量
212143 -
仿真
+关注
关注
50文章
4044浏览量
133421 -
功率
+关注
关注
13文章
2057浏览量
69779
发布评论请先 登录
相关推荐
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战
：RECOM 众多 DC/DC 模块针对 WBG 栅极驱动器应用进行优化中的一部分 SiC 和 GaN 是宽带隙 (WBG) 半导体材料，因其开关更快且损耗更低，相较于传统硅 (Si) 在电力电子应用领域更具优势。对于需要关键考量高效率和高
发表于 09-27 15:05
•747次阅读
大功率器件散热装置设计探讨
摘要：针对某大功率器件的散热需求，基于传热路径和流动迹线，进行了一种内嵌热管的高效风冷散热装置的设计研究，并进行了仿真计算。计算结果显示散热符合设计要求，表明此高效散热装置设计方案可行
如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器
们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙 (WBG) FET 器件技术，在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改进和进步，设计人员可以利用 GaN 器件达成上述目标。GaN
SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅
SiC功率器件先进互连工艺研究
共读好书 杜隆纯 何勇 刘洪伟 刘晓鹏 （湖南国芯半导体科技有限公司 湖南省功率半导体创新中心） 摘要： 针对SiC功率器件封装的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片双面银烧结技术与粗
碳化硅功率器件的特点和应用
随着全球能源危机和环境问题的日益突出，高效、环保、节能的电力电子技术成为了当今研究的热点。在这一领域，碳化硅（SiC）功率器件凭借其出色的物理性能和电学特性，正在逐步取代传统的硅基功率
高性能功率器件的封装
分析多方面因素综合作用下的功率器件失效过程和机理。半导体模块在实际的工作中不仅涉及热应力，同时还受振动、湿度等因素影响，现有研究主要集中在温度对器件可靠性的影响，较少分析多种因素共同作
低成本垂直GaN功率器件研究
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗
其未来应用前景广阔，具有很高的实用性。 首先，碳化硅功率器件的材料特性使其成为目前电力电子技术中的热门研究方向之一。相较于硅基功率器件，碳化
氧化镓器件介绍与仿真
本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能带结构的价带无法有效进行空穴传导，因此难以制作P型半导体。学习氧化镓仿真初期
工商网监
评论