采用氮化镓材料的电子器件在无桥PFC电路中的应用(2)
- Load:0 second
- Duration:0 second
- Size:0x0
- Volume:0%
- Fps:55fps
- Sudio decoded:0 Byte
- Video decoded:0 Byte
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
113文章
8004浏览量
213393 -
氮化镓
+关注
关注
60文章
1683浏览量
116838 -
MOSEFT
+关注
关注
0文章
35浏览量
4486
发布评论请先 登录
相关推荐
氮化镓（GaN）充电头安规问题及解决方案
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性
PMP40690 使用C2000™ MCU和GaN的4kW交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计
此参考设计是一个 4kW 交错式 CCM 图腾柱 （TTPL） 无桥 PFC 参考设计，使用 64 引脚 C2000™ 微控制器、LM3410 氮化
氮化硼散热材料大幅度提升氮化镓快充效能
器件的性能，使充电头在体积、效率、功率密度等方面实现突破，成为快充技术的核心载体。氮化镓充电头的核心优势：1.体积更小，功率密度更高材料特性
氮化镓充电器和普通充电器有啥区别？
相信最近关心手机行业的朋友们都有注意到“氮化镓（GaN）”，这个名词在近期出现比较频繁。特别是随着小米发布旗下首款65W氮化镓快充充电器之后
发表于 01-15 16:41
碳化硅SiC在电子器件中的应用
随着科技的不断进步，电子器件的性能要求也日益提高。传统的硅（Si）材料在某些应用中已经接近其物理极限，尤其是在高温、高压和高频领域。碳化硅（
交错并联图腾柱无桥PFC电路的工作原理
交错并联图腾柱无桥PFC是一种高效的功率因数校正电路，通过交替控制开关管的导通与关闭，实现电感的充放电，以达到平滑输入电流，提高功率因数的目的。
无桥PFC工作原理和电路结构
无桥PFC（Power Factor Correction，功率因数校正）技术是一种广泛应用于电源电路的技术，旨在提高电源的功率因数，从而改善电源的有效使用效率。本文将详细介绍
分立器件在45W氮化镓快充产品中的应用
成为市场上的新势力。通常，氮化镓充电器具有高效率、高功率密度、节能环保、热量控制优秀、便携性强、体积小、重量轻、充满电时间短等优点，很多高端电子产品配置了氮化
氮化镓和砷化镓哪个先进
景和技术需求。 氮化镓（GaN）的优势 高频与高效率 ：氮化镓具有高电子迁移率和低电阻率，使得它在高频和高功率应用中表现出色。例如，
碳化硅与氮化镓哪种材料更好
引言 碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是两种具有重要应用前景的第三代半导体材料。它们具有高热导率、高电子迁移率、高击穿场强等优异的物理化学性质，被广泛应用于高温、高频、高功率等极端环
有桥pfc与无桥pfc的区别是什么
有桥PFC（Power Factor Correction，功率因数校正）和无桥PFC是两种不同的功率因数校正技术。它们
无桥pFc电路电流检测电路的作用
引言 电力电子技术是现代电力系统的重要组成部分，其核心是实现电能的有效转换和控制。在电力电子电路中，电流检测是保证电路正常运行和故障诊断的关
Transphorm携手伟诠电子推出两款新型系统级封装氮化镓器件
全球氮化镓功率半导体行业的领军者Transphorm, Inc.和USB PD控制器集成电路的佼佼者伟诠电子联合宣布，双方已成功推出两款新型系统级封装
工商网监
评论