MOSFET的原理及开关特性分析
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
电路
+关注
关注
172文章
5839浏览量
171886 -
ti
+关注
关注
112文章
8006浏览量
212119 -
MOSEFT
+关注
关注
0文章
35浏览量
4399
发布评论请先 登录
相关推荐
影响MOSFET开关损耗的因素
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管）的开关损耗是电子工程中一个关键的性能参数，它直接影响到电路的效率、热设计和可靠性。下面将详细阐述
MOSFET的基本结构与工作原理
的反向阻断和导通特性有明显的影响。
为分析和表述方便，定义栅极到源极（就是栅极到体端）的电压为UGS，漏极到源极的电压为UDS，流经MOSFET的电流，即流入漏极的电流为ID。
MOSFET
发表于 06-13 10:07
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机制和对策及其应用和电机驱动应用。电气特性定义及使用说明
功率
发表于 06-11 15:19
MOSFET的结构和工作特性
集成电路、功率电子、模拟电路等领域扮演着至关重要的角色。本文将详细阐述MOSFET的结构和工作特性，并通过数字和信息进行具体说明。
如何选择开关电源的MOSFET
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。
碳化硅MOSFET与硅MOSFET的应用对比分析
碳化硅 MOSFET 具有导通电压低、 开关速度极快、 驱动能力要求相对低等特点， 是替代高压硅MOSFET 的理想器件之一。
如何使用MosFET开启特性来抑制浪涌电流？
是否有白皮书明确规定了如何使用 MosFET 开启特性来抑制浪涌电流？
设计类似于 TLE9853 评估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通过模拟感性负载，我们 CAN 控制电流
发表于 01-29 07:41
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势
碳化硅MOSFET在高频开关电路中的应用优势 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有在高频开关电路中广泛应用的多个优势。 1. 高温特
MOSFET漏极导通特性与开关过程简析
本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开
MOSFET作为开关的应用
MOSFET作为一种电子开关，主要利用了其在栅源电压控制下的导电能力，通过改变栅源电压 VGS，使得元件在短路（ON）和开路（OFF）状态间转变，从而实现高效的电压控制和电源管理。MOSFET在
工商网监
评论