WBG功率器件的软/硬开关应用案例
- Load:0 second
- Duration:0 second
- Size:0x0
- Volume:0%
- Fps:60fps
- Sudio decoded:0 Byte
- Video decoded:0 Byte
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
开关
+关注
关注
19文章
3220浏览量
94115 -
ti
+关注
关注
113文章
8004浏览量
213384 -
功率器
+关注
关注
0文章
9浏览量
8269
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅(SiC)功率器件在航空与航天领域的应用与技术前景
功率转换器中具有许多优势，例如提高功率密度和效率，因此可能非常适合于空间应用。然而，这些WBG器件的抗辐射性能需要被仔细考虑。本文概述了在飞机和空间
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战
：RECOM 众多 DC/DC 模块针对 WBG 栅极驱动器应用进行优化中的一部分 SiC 和 GaN 是宽带隙 (WBG) 半导体材料，因其开关更快且损耗更低，相较于传统硅 (Si) 在电力电子应用领域更具优势。对于需要关键考
发表于 09-27 15:05
•875次阅读
软开关技术的原理和分类
软开关技术，作为一种先进的电力电子技术，在近年来得到了广泛的关注和应用。该技术通过优化开关元件的开关过程，实现了降低开关损耗、提高系统效率、
功率器件的开关波形分析
功率器件，特别是如功率MOSFET和IGBT等，在电力电子系统中扮演着至关重要的角色。它们的开关波形分析对于理解器件性能、优化系统设计以及确
硬开关和软开关的主要区别
能量和用于平滑开关模式转换器输出无源元件的尺寸及数量，还为转换器构建了减少发热量并由此使用更小散热片的基础。 对于传统的硅基功率晶体管而言，一些效率和频率上的改进得益于功率转换器设计中从简单硬
碳化硅(SiC)功率器件的开关性能比较
(JFET)以及现在的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。碳化硅功率器件在这些碳化硅功率器件的开关性能中，制造商通常需要在栅极驱动
如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器
们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙 (WBG) FET 器件技术，在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改进和进步，设计人员可以利用 GaN 器件达成上述目标。GaN
SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注
硬电线和软电线之间又有何区别？
软电线，又叫护套线。一般是多股直径1毫米以下可导电的固态金属丝绞合而成的导线，即内部为多股铜丝缠绕在一起。
硬电线，又叫塑铜线。一般10平方以下的硬电线都是单股线，是由少数几根粗铜芯组成的。
工商网监
评论