新兴的宽禁带(WBG)碳化硅和氮化镓功率器件越来越广泛地应用在电力电子产品中来提升效率和功率密度. 培训内容介绍了WBG功率器件特性, 及应用. 并且详细的分析了开关性能,损耗计算以及测试,仿真技巧.
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
113文章
8005浏览量
213440 -
仿真
+关注
关注
50文章
4155浏览量
134478 -
功率
+关注
关注
14文章
2096浏览量
70401
发布评论请先 登录
相关推荐
碳化硅功率器件的散热方法
产生大量热量,如果散热不良,会导致器件性能下降甚至失效。因此,高效的散热方法对于确保碳化硅功率器件的稳定运行至关重要。本文将详细介绍碳化硅
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战
:RECOM 众多 DC/DC 模块针对 WBG 栅极驱动器应用进行优化中的一部分 SiC 和 GaN 是宽带隙 (WBG) 半导体材料,因其开关更快且损耗更低,相较于传统硅 (Si) 在电力电子应用领域更具优势。对于需要关键考
发表于 09-27 15:05
•880次阅读

功率器件功率循环测试原理详解
了爆发式的增长。与消费电子市场相比,车规级功率半导体器件所面临的挑战更为严峻,因其需要在高工作结温、高功率密度和高开关频率等严苛条件下稳定运行,同时还需要在更为恶劣的使用环境中保持出色

功率器件的种类和应用领域
功率器件,也称为功率电子器件,是电子设备中至关重要的组成部分,它们具备处理高电压和高电流的能力,是电力转换和电路控制的核心。以下是对功率
如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器
们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙 (WBG) FET 器件技术,在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改进和进步,设计人员可以利

SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比,它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注

科普:集成电路与功率器件的同与不同
功率器件是指用于控制和调节电能的器件,其主要功能是将电能转换为其他形式的能量,如电机的驱动、电源的变换等。功率器件一般分为三类:晶闸管、
评论