新兴的宽禁带(WBG)碳化硅和氮化镓功率器件越来越广泛地应用在电力电子产品中来提升效率和功率密度. 培训内容介绍了WBG功率器件特性, 及应用. 并且详细的分析了开关性能,损耗计算以及测试,仿真技巧.
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
ti
+关注
关注
112文章
7960浏览量
212081 -
功率器件
+关注
关注
41文章
1721浏览量
90282 -
氮化镓
+关注
关注
59文章
1609浏览量
116119
发布评论请先 登录
相关推荐
细数安森美重磅功率器件产品
由世纪电源网主办的“第三届电源行业配套品牌颁奖晚会”将于2024年12月07日在深圳隆重举办。安森美(onsemi)凭借领先的功率器件入围国际功率器件行业卓越奖、
为什么WBG材料是5G系统未来发展的关键?
电力半导体正在显著影响下一代网络的发展。宽带隙(WBG)半导体材料在电信系统中的集成正在成为支持和增强5G基础设施的战略解决方案。在连接性方面,WBG半导体相较于传统硅设备具有显著优势,使其成为
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的栅极驱动器电源必须满足这些宽带隙半导体的独特偏置要求。本文将讨论在 SiC 和 GaN 应用中设计栅极驱动器电源时需要考虑的关键因素。 图 1
发表于 09-27 15:05
•732次阅读
功率器件功率循环测试原理详解
功率半导体器件,特别是绝缘栅双极型晶体管(IGBT),在新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等诸多应用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源电动汽车行业的迅猛崛起下,功率半导体器件
功率器件的种类和应用领域
功率器件,也称为功率电子器件,是电子设备中至关重要的组成部分,它们具备处理高电压和高电流的能力,是电力转换和电路控制的核心。以下是对功率
如何利用 GaN 功率器件实现出色的中等功率电机变频器
们往往无法满足关键变频器应用对性能和效率的更高要求。 氮化镓 (GaN) 是一种宽带隙 (WBG) FET 器件技术,在成本、性能、可靠性和易用性方面都有很大改进和进步,设计人员可以利用 GaN 器件达成上述目标。GaN
SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比,它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅
评论