0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组

中国半导体论坛 来源:lq 2019-02-11 15:59 次阅读

2019年1月30日,采用中芯集成电路(宁波)有限公司(以下简称“中芯宁波”)特有的晶圆级微系统集成技术,中芯宁波和宜确半导体(苏州)有限公司(以下简称“宜确”)联合发布业界首个硅晶圆级砷化镓及SOI异质集成射频前端模组。宜确也首次展示了封装尺寸仅为2.5x1.5x0.25立方毫米的射频前端模组,这也是目前业界最紧凑的射频前端器件;其第一个系列的产品预计将于2019年上半年在中芯宁波N1工厂投产,主要面向4G5G智能手机市场,满足其对射频前端模组进一步微型化的需求。

“uWLSI®是一个先进的晶圆制造技术平台,不仅助力宜确的砷化镓pHEMT射频前端模组产品实现出众的微型化,而且显著提高其核心组件间互连的射频特性。”宜确表示:“这一关键性的晶圆级制造和系统测试技术,也有助于进一步简化芯片设计和制造流程。”

uWLSI®为中芯宁波的注册商标,意指“晶圆级微系统集成”;它是中芯宁波自主开发的一种特种中后段晶圆制造技术,尤其适用于实现多个异质芯片的晶圆级系统集成以及晶圆级系统测试,同时也消除了在传统的系统封装中所需的凸块和倒装焊工艺流程。

中芯宁波表示:“中芯宁波所开发的uWLSI®技术平台,正是为了满足多个异质芯片通过更多的晶圆级制造工艺来实现高密度微系统集成的迫切需求。uWLSI®技术不仅能够支持多种射频核心组件(包括砷化镓或氮化镓功放器件、射频滤波器、集成被动器件)的晶圆级异质微系统集成,支持下一代高性能、超紧凑的射频前端模组产品的要求,还将针对更广泛的系统芯片应用,成为一种新的有竞争力的微系统集成方案,包括微控制器物联网传感器融合。”

中芯宁波是一家特种工艺半导体制造公司,由中芯国际集成电路制造(上海)有限公司(SMIC)、中国集成电路产业投资基金以及其它集成电路产业基金共同投资。公司总部位于中国浙江省宁波市,拥有自己的特种工艺半导体晶圆制造工厂,为全球集成电路和系统客户提供高压模拟、射频前端以及光电系统集成领域的专业晶圆制造和产品设计服务。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    27349

    浏览量

    218543
  • 射频
    +关注

    关注

    104

    文章

    5584

    浏览量

    167735
  • 晶圆
    +关注

    关注

    52

    文章

    4909

    浏览量

    127968

原文标题:中芯宁波与宜确半导体联合宣布首次实现砷化镓射频前端模组晶圆级微系统异质集成

文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    超薄的发展历程与未来展望!

    是半导体制造中的基础材料,主要用于生产各种电子元件,如晶体管、二极管和集成电路。它是通过将高纯度的熔化后冷却成单晶体结构,然后切割成
    的头像 发表于 12-26 11:05 134次阅读
    超薄<b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>的发展历程与未来展望!

    利用全息技术在内部制造纳米结构的新方法

    表面外,内部还有足够的空间可用于微结构制造。该研究团队的工作,为直接在内部进行纳米
    的头像 发表于 11-18 11:45 295次阅读

    PI推出业界首款1700V氮化开关IC

    深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux-2系列单、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN技术制造而成,是
    的头像 发表于 11-05 13:40 305次阅读

    氮化在划切过程中如何避免崩边

    半导体市场的发展。氮化的制造工艺非常相似,12英寸氮化技术发展的一大优势是可以利用现有的12英寸
    的头像 发表于 10-25 11:25 719次阅读
    氮化<b class='flag-5'>镓</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>在划切过程中如何避免崩边

    的制备流程

    本文从硅片制备流程为切入点,以方便了解和选择合适的的制备工艺流程比较复杂,加工工序
    的头像 发表于 10-21 15:22 265次阅读

    制造良率限制因素简述(2)

    相对容易处理,并且良好的实践和自动设备已将断裂降至低水平。然而,
    的头像 发表于 10-09 09:39 489次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>制造良率限制因素简述(2)

    氮化哪个先进

    氮化(GaN)和(GaAs)都是半导体材料领域的重要成员,它们在各自的应用领域中都展现出了卓越的性能。然而,要判断哪个更先进,并不是一个简单的二元对立问题,因为它们的先进性取决
    的头像 发表于 09-02 11:37 2525次阅读

    详解不同封装的工艺流程

    (Fan-Out WLCSP)、重新分配层(RDL)封装、倒片(Flip Chip)封装、及通孔(TSV)封装。此外,本文还将介绍应用于这些封装的各项工艺,包括光刻(Photo
    的头像 发表于 08-21 15:10 1555次阅读
    详解不同<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>级</b>封装的工艺流程

    碳化硅的区别是什么

    以下是关于碳化硅的区别的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,具有比
    的头像 发表于 08-08 10:13 1453次阅读

    二维材料 ALD 的集成变化

    来源:《半导体芯科技》杂志文章 在集成 ALD 生长的二维材料,需要克服先进工艺开发的挑战。 作者:Friedrich Witek,德国森泰科仪器(SENTECH Instrum
    的头像 发表于 06-24 14:36 296次阅读
    二维材料 ALD 的<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>级</b><b class='flag-5'>集成</b>变化

    华为提出业界首个L4AI安全智能体,迈入智能防御新时代

    2024华为分析师大会期间,在“加速迈向网络智能”论坛上,华为提出业界首个L4AI安全智能体,该智能体架构为人工智能时代全球网络安全防御提供了新的思路和方向,引领网络安全迈入智能防御新时代。
    的头像 发表于 04-19 09:23 636次阅读

    FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

    本文简单介绍了两种常用的SOI——FD-SOI与PD-SOI
    的头像 发表于 03-17 10:10 2175次阅读
    FD-<b class='flag-5'>SOI</b>与PD-<b class='flag-5'>SOI</b>他们的区别在哪?

    一文看懂封装

    共读好书 在本文中,我们将重点介绍半导体封装的另一种主要方法——封装(WLP)。本文将探讨
    的头像 发表于 03-05 08:42 1362次阅读
    一文看懂<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b><b class='flag-5'>级</b>封装

    射频前端底层技术的卓越性能,RF-SOI为5G赋能

    和FD-SOI,其中RF-SOI作为一种重要的射频芯片材料技术,虽然很少被提及,但在很多设备上都有重要的应用。   射频前端底层技术  
    的头像 发表于 02-19 00:59 3594次阅读

    异质集成工艺的简介

    本文介绍了光电集成芯片的最新研究突破,解读了工业界该领域的发展现状,包括数据中心互连的基光收发器的大规模商用成功,和材料、器件设计、异质集成
    的头像 发表于 01-18 11:03 1171次阅读
    <b class='flag-5'>硅</b>基<b class='flag-5'>异质</b><b class='flag-5'>集成</b>工艺的简介