近日,HPE 3PAR存储单元副总裁兼总经理Ivan Iannaccone进行了一次大胆预测,在他看来,存储级内存(SCM)或将在10年内取代NAND闪存,成为企业首选的高速存储介质。
在Ivan Iannaccone看来,随着企业对数据处理和请求的需求加快,NAND闪存的性能和延迟问题将使得SSD不足以满足未来的企业需求。而读写性能远高于SSD、延迟更为SSD十分之一的SCM将逐步取代NAND SSD。
同时,Ivan Iannaccone表示,尽管SCM确实比NAND好很多,但其比NAND高出4倍的成本依旧是最大的阻碍。
编辑观点:
在笔者看来,SCM确实是趋势,因其性能接近DRAM,而成本介于DRAM和NAND之间。
目前,做SCM的厂商主要为英特尔和三星。英特尔的傲腾产品定位于企业和消费,三星的Z-SSD更专注于消费者,并计划在今年晚些时候向OEM提供样品。此外,据爆料,东芝和西数也在开发自己的SCM产品。
另一方面,尽管各存储厂商均发力SCM市场,但其高昂的成本确实阻碍着SCM取代NAND。最好的例子:这么多年过去了,NAND SSD依旧没能完全取代HDD。
-
NAND
+关注
关注
16文章
1664浏览量
135919 -
存储
+关注
关注
13文章
4209浏览量
85553 -
内存
+关注
关注
8文章
2959浏览量
73792
原文标题:HPE:10年后 存储级内存将取代NAND闪存
文章出处:【微信号:D1Net11,微信公众号:存储D1net】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
评论