三大半导体厂微影技术进度一览
半导体微影技术(lithography)终于迎来全新世代交替,过去10年主导半导体关键制程的浸润式(immersion)微影技术,将在今年开始转向新一代的极紫外光(EUV)。晶圆代工龙头台积电将在3月开始启动支援EUV技术的7nm量产计画,支援EUV的5nm亦将同步进入试产。
台积电EUV制程进入量产阶段,对半导体产业而言是一项重大里程碑,EUV技术可以让摩尔定律持续走下去,理论上将可推进半导体制程至1nm。
虽然台积电第一代支援EUV技术的7+nm,只有少数几层光罩层会利用EUV完成,但包括海思、英伟达(NVIDIA)、超微(AMD)、博通、高通等都将陆续导入7+nm制程量产。
不过根据业界消息,苹果今年下半年推出的新一代A13应用处理器,并不会採用台积电支援EUV技术的7+nm,而是会採用加强版7nm(7nm Pro)制程量产。业界预期,苹果正在研发中的A14应用处理器才会是首款採用EUV的晶片,预期明年採用台积电5nm制程量产。
为了加快EUV制程学习曲线,台积电支援EUV的7+nm量产之际,预期有一半光罩层会採用EUV技术的5nm,亦将同步进入风险试产阶段。台积电与大同盟(Grand Alliance)伙伴密切合作打造EUV生态系统,包括业界传出台积电已对EUV设备大厂艾司摩尔(ASML)扩大採购30台设备,晶圆传载方案厂家登亦成为最主要的EUV光罩盒供应商。
台积电总裁暨执行长魏哲家在日前法人说明会中指出,7+nm良率推进情况良好,预期第二季后进入量产阶段,台积电已经与数家客户合作,协助其第二代或第三代产品设计导入7+nm制程。台积电预期价格更好的7+nm量产后,将可在未来几年为7nm世代带来更大的成长空间。至于5nm目前研发进度符合预期,今年上半年会有客户完成晶片设计定案(tape-out),明年上半年将进入量产阶段。
台积电7+nm虽然只有部份光罩层採用EUV技术,但仍可提升电晶体密度约20%,并在同一运作效能下降低功耗约10%。至于5nm采用EUV光罩层更多,与7nm相较预期可提升电晶体密度达1.8倍或缩小晶片尺寸约45%,同一功耗下提升运算效能15%,或同一运算效能下降低功耗20%。台积电亦计画在5nm世代加入极低临界电压(Extremely Low Threshold Voltage,ELTV)技术,协助客户将运算效能提升至25%。
EUV技术 为摩尔定律延命
随着晶片功能愈趋强大,在半导体制程愈趋复杂的情况下,摩尔定律的推进已经放缓,以台积电、三星、英特尔等三大半导体厂目前採用的浸润式(immersion)微影及多重曝影(multi-patterning)技术来说,若要维持摩尔定律的制程推进速度,晶片成本会呈现等比级数般飙升。也因此,能够明显减少晶片光罩层数的极紫外光(EUV)微影技术,将可为摩尔定律延命。
摩尔定律除了每18~24个月可让晶片中电晶体数量增倍的技术推进,还包含了经济层面上的益处。事实上,过去20年因为摩尔定律的推进顺利,晶片的单位制造成本可以逐年降低,并造就了个人电脑的普及,以及智慧型手机的人手数机的情况。若半导体市场没有摩尔定律的存在,晶片的成本难以有效降低,要用1,000美元以下价格买到电脑或手机几乎是不可能的事。
不过,因为晶片制程的持续推进,电路要再进行微缩的难度愈来愈高,成本的提升速度也愈来愈快。以目前业界普遍量产中的14/16奈米逻辑制程来看,设备的投资是28奈米的数倍,换算下来晶片单位制造成本的降幅已经趋缓,而制程进入10奈米或7奈米后,晶片成本几乎降不下来。也就是说,摩尔定律推进放缓,苹果及三星等新款旗舰手机功能又要愈多,增加的晶片用量或功能要愈多,价格自然愈垫愈高。
为了解决这个问题,业界早在10年前就已经在讨论在浸润式微影技术之后,会不会有更好的技术来为摩尔定律延命。如今,随着台积电7+奈米进入量产,EUV技术正式接棒演出,摩尔定律至少可再延续至3奈米或1奈米世代,虽说先进制程价格仍然居高不下,但长期来看,基于摩尔定律发展的经济层面益处将可延续下去。
日月光投控营运长吴田玉曾指出,过去半导体业的创新就是摩尔定律,所以大家跟着走,但现在业界觉得摩尔定律的推进变慢了,但以他来看不是变慢,而是业界降低成本(cost down)的本领不够,导致摩尔定律的时间拉长,但摩尔定律另一个层面代表的经济定律却没有变。
当然,靠EUV就要让摩尔定律延续下去仍有许多挑战,除了制程上的微缩,具异质晶片整合优势的系统级封装(SiP)技术,也被视为能让摩尔定律持续下去的重要解决方案。也就是说,未来晶片不会是单一的晶片,而是一个次系统或微系统的概念,异质整合将是半导体产业另一重要发展方向。
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原文标题:宣告进入EUV新时代;台积电7nm EUV量产,5nm EUV试产!
文章出处:【微信号:icunion,微信公众号:半导体行业联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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