因为苹果及三星手机销售不振,内存DRAM库存严重,加上台积电Fab14B厂光刻胶规格不符事件造成16/12纳米图形处理器(GPU),以及智能手机芯片(SoC)产出减少而影响相关的存储器需求,再加上超过40%的DRAM内存及近20%的NAND闪存合约价格环比跌幅,国金证券研究所预期美国美光,韩国海力士,及三星电子将公布低于市场预期的1Q19及2Q19营收及获利数字。因此,存储器行业隧道出口微光未现,相关公司股价仍有下修压力。
美光及分析师无法避免地将下修1H19营收及获利预期。预估美光将公布第一季度销售环比衰退超过30%(比公司及分析师平均预期的20-28%来得差),同比衰退超过25%(也低于公司及分析师平均预期的的14-22%同比衰退)。至于1Q19利润率方面,应该也低于之前美光预期的50-53%毛利率,36-40%营业利润率,33-34%的净利率,低于各个利润率的低标。
虽然需求不振,国金证券研究所估计美光又不想降低产能利用率来伤害毛利率,因此预期美光的库存月数会从4Q18新高的3.5个月继续攀高,但若存储芯片价格持续下滑至全包成本价或现金成本价的程度,美光还要面对庞大的库存跌价损失。至于2Q19,美光将预期10%左右环比衰退及36%以上同比衰退,这些都比市场预期的1%环比衰退及29%同比衰退来的差很多,加上二季度DRAM及NAND价格环比及同比持续下探,卖出高成本库存将持续侵蚀美光的获利率。
海力士同受其害,预估SK Hynix将公布第一季度销售环比衰退超过30%(分析师平均预期的29%来得稍差),同比衰退超过20%(也低于分析师平均预期的的19%同比衰退)。至于1Q19利润率方面,应该也低于市场预期的49%毛利率,32%营业利润率,23%的净利率。至于2Q19,SK海力士将预期5-10%左右环比衰退及38%左右同比衰退,这些都比市场预期的2%环比成长及31%同比衰退来的差,加上二季度DRAM及NAND价格环比及同比持续下探,在三季度卖出高成本库存将持续侵蚀SK海力士的获利率。
三星无法独善其身,预估三星将公布第一季度销售环比衰退14%(分析师平均预期的10%来得稍差),同比衰退16%(也低于分析师平均预期的的11%同比衰退)。至于1Q19利润率方面,应该也明显低于市场预期的40%毛利率,16%营业利润率,12%的净利率。至于2Q19,三星将预期0-5%左右环比衰退及15%左右同比衰退,这些都比市场预期的8%环比成长及6%同比衰退来的差,加上二季度DRAM及NAND价格环比及同比持续下探,在三季度卖出高成本库存将持续侵蚀三星的获利率。
不同于DRAM内存及NAND闪存的公司曾将营业利润率拉高到超过50%,NOR闪存龙头旺宏及华邦就比较辛苦,一方面受到SLCNAND闪存价格的挤压,一方面受到彼此及兆易创新,武汉新芯的竞争,估计其营业利润率将从2Q18年的23%,下滑到1H19年的0-5%(低于市场对旺宏/华邦预期的5-10%),如果下半年价格还不能止跌回升,未来几个季度亏损可期。
底部将于2H19浮现?
去年中之前,内存DRAM,闪存NAND,闪存NOR,比特及以太币等虚拟货币,硅片,电阻/电容价格的大幅上涨及缺货,造成客户无所适从,而以追高囤积高价库存来因应,而现在景气反转,芯片价格下跌,客户先砍先赢。如内存DRAM,闪存NAND行业般,国金证券研究所预期各行业营收同比及营业利率将从头部下修12-18个月。
以内存DRAM,闪存NAND而言,预估其同比营收增长率从2H18的60%,于2019年上半年下跌到-20%以下,营业利润率从3Q18的53%,到2H19将下测20%以下。以相对稳定供给的闪存NOR而言,预估其营业利润率从3Q18的19%,下测5%以下。比特及以太币的跌价让采两年折旧的28/20/16/14/10纳米挖矿芯片几乎已无利可图,但7纳米挖矿机2019年下半年才有大量问世。
而硅片因逻辑晶圆代工及整合芯片设计制造厂(IDM)产能利用率从2018年三季度的大于90%,大幅下滑至2019年一季度的77%,+/-5%,我们预估明年下半年硅片上涨动力消失,从2019年下半年开始将有1-2年的下行周期。
降开支,减产,求平衡
国金证券研究所认为,要让存储器价格于2H19止跌回稳,各龙头厂商要将资本开支占营收比从4Q18的40%降低到30%以下,尤其是SK海力士,南亚科技,及华邦这些资本开支仍然积极的公司来进行降开支的行动,这样才能将DRAM内存的位元增长率bit growth从去年的20%,降低到今年的10%,NAND闪存的位元增长率bit growth从去年的45%,降低到今年的25-30%。
如果今年下半年智能手机及计算机,服务器需求不如预期,存储器价格将无法止稳;中美之间的关税战仍然是一大变数;华为控告美国政府是否扩大为更进一步的贸易封锁?
来源:国金证券研究所
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