0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星7纳米EUV制程量产预计在2020年底前达成

半导体动态 来源:工程师吴畏 2019-04-03 17:21 次阅读

在当前全球晶圆制造的先进制程领域中,只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。三星虽然早在 2018 年 10 月份就已经宣布量产 7 纳米 EUV 制程,但实际情况并非如此。因为就连三星自己的 Exynos 9820 处理器都没用上 7 纳米 EUV 制程,这是因为三星的 7 纳米工厂过去一直都没完成。直到日前,三星提交的报告显示,他们投资 13 亿美元的华城生产线已经完成建设工作,三星的 7 纳米 EUV 制程现在才算真正进入量产。

根据外媒报导,三星物产日前在收盘后提供给南韩证券监管部门的资料中表示,位于南韩西海岸的三星电子华城工厂已经完成生产线建设工作,计划总成本为 1.46 兆韩圆,约 12.9 亿美元。而三星物产这约 13 亿美元的合约,只是三星 2017 年大规模投资半导体计划中的一部分。当年宣布的总投资高达 6 兆韩圆的计划,其主要目的就是为了未来的 7 纳米 EUV 制程的量产,而且三星已经在南韩华城 S3 Line 中部署了 ASML 的 NXE3400 EUV ***,不过该产线之前是生产 10 纳米制程,这次进一步加以提升。

报导还指出,三星还在华城建设全新的生产线,专为 7 纳米 EUV 制程的量产所准备,计划在 2019 年底全面完工。7 纳米 EUV 制程的大量生产,预计在 2020 年底前达成。因此,结合三星物产最近的报告,这意味着三星 7 纳米 EUV 制程工厂的基础设施建设工作如今已经完成了,剩下将进行安装设备、测试生产线。

事实上,与竞争对手台积电在 7 纳米节点的策略不同,三星在一开始的 7 纳米 LPP 制程节点上直接导入了 EUV 技术。三星表示,7 纳米 LPP 制程使用 EUV 设备之后,可以减少 20% 的光罩流程,使整个制程更加简单,而且节省时间和金钱,又可以达成 40% 面积能效提升、以及 20% 的性能增加与 50% 降低功耗的目标。

不过,虽然三星 7 纳米 LPP 制程产线已机几乎完成,但是在 7 纳米制程上依然是缺少客户。目前,除了三星之外,代工客户目前已知的主要是在格芯(GLOBALFOUNDRIES)放弃 7 纳米制程的研发之后,也积极寻找新的代工厂 IBM。三星与 IBM 已经在 2018 年达成合作协定,未来将使用 7 纳米 EUV 制程为 IBM 代工旗下的 Power 处理器。

至于还有一个可能的客户,那就是 NVIDIA。过去双方在 14 纳米的制程节点上合作过,但目前 NVIDIA 的主力,还是台积电的 16 纳米及 12 纳米制程。在 7 纳米芯片上,虽然 AMD 已经首发了 7 纳米制程的 GPU,但 NVIDIA 似乎并不着急。之前 NVIDIA 执行长黄仁勋就曾表示,台积电的 7 纳米制程是公开的,也想卖给 NVIDIA,但当前 NVIDIA 并不依赖特定制程来生产。所以,三星能否争取到 NVIDIA 来采用 7 纳米来生产新一代产品,就必须视三星未来的制程良率与价格而定了。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15843

    浏览量

    180852
  • 台积电
    +关注

    关注

    43

    文章

    5594

    浏览量

    165948
  • EUV
    EUV
    +关注

    关注

    8

    文章

    603

    浏览量

    85935
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星显示加速8.6代IT OLED量产计划,预计2025年底实现

    近日,三星显示季度业绩的电话会议上透露了其8.6代OLED产线的最新进展。公司表示,面向IT领域的8.6代OLED产线的主要设备已经完成,目前正按计划进行,原计划于2026实现
    的头像 发表于 11-05 17:00 239次阅读

    三星电子加速推进HBM4研发,预计年底量产

    三星电子半导体技术的创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措标志着三星电子正紧锣密鼓地为明年
    的头像 发表于 08-22 17:19 587次阅读

    三星2024年底量产256GB CXL 2.0内存模块

    重大决策:三星将于今年年底正式拉开符合CXL 2.0协议标准的256GB CMM-D 2.0内存模块的量产序幕。这一举措不仅标志着三星高性
    的头像 发表于 07-22 15:10 637次阅读

    三星启动"Thetis"2nm芯片项目,预计2026量产,将配装于Galaxy S2 

    据韩国媒体ETNews 报导,三星已着手开发代号为“Thetis”的2纳米制程应用芯片(AP)项目,预计2025实现量产,并在2026
    的头像 发表于 05-23 14:34 649次阅读

    台积电A16制程采用EUV光刻机,2026下半年量产

    据台湾业内人士透露,台积电并未为A16制程配备高数值孔径(High-NA)EUV光刻机,而选择利用现有的EUV光刻机进行生产。相较之下,英特尔和三星则计划在此阶段使用最新的High-N
    的头像 发表于 05-17 17:21 858次阅读

    三星电子考虑采用1c nm DRAM裸片生产HBM4内存

    早前Memcon 2024行业会议上,三星电子代表曾表示,该公司计划在年底实现对1c纳米制程的大规模生产;而关于HBM4,他们预见
    的头像 发表于 05-17 15:54 404次阅读

    SK海力士、三星电子年内启动1c纳米DRAM内存量产

    三星近期Memcon 2024行业会议中声称,计划于今年底以前实现1c nm工艺的量产。另据行业消息人士透露,SK海力士已确定在第季度实
    的头像 发表于 04-09 16:53 789次阅读

    SK海力士与三星将率先量产1c纳米DRAM

    近期举办的行业盛会Memcon 2024上,三星公司透露了其宏伟的量产计划,预计今年年底
    的头像 发表于 04-09 15:51 501次阅读

    三星3纳米良率不足60%

    三星近年来半导体制造领域持续投入,并力争在先进制程技术上取得突破。然而,据韩媒报道,三星3纳米制程
    的头像 发表于 03-11 16:17 372次阅读

    年底Galaxy AI将引入三星1亿部Galaxy设备中

    1月份曾表示要在今年年底将Galaxy AI引入三星1亿部Galaxy设备中,为了实现这一目标,三星还将为之前的型号提供软
    的头像 发表于 03-05 09:33 360次阅读

    三星启动二代3纳米制程试制,瞄准60%良率

    台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构制程的大规模量产
    的头像 发表于 01-22 15:53 660次阅读

    三星曝光技术大进展!

    据报导,三星已主要客户的部分先进 EUV 代工生产在线导入 EUV 光罩护膜。虽然三星 DRAM 生产线中采用
    的头像 发表于 12-05 15:09 865次阅读

    台积电全包!三星痛失高通明年3纳米订单

    三星去年6 月底量产第一代3 纳米GAA (SF3E) 制程,为三星首次采用全新GAA 架构晶体管技术,而第二代3
    的头像 发表于 12-04 15:55 631次阅读

    三星希望进口更多ASML EUV***,5内新增50台

    EUV曝光是先进制程芯片制造中最重要的部分,占据总时间、总成本的一半以上。由于这种光刻机极为复杂,因此ASML每年只能制造约60台,而全球5家芯片制造商都依赖ASML的EUV光刻机,包括英特尔、美光、
    的头像 发表于 11-22 16:46 692次阅读

    消息称三星将投资10万亿韩元购买***

    三星电子增加购买EUV光刻设备的计划而言,半导体领域的分析师也持有积极的态度。来自祥明大学的半导体工程教授表示:“三星已引进数十台EUV光刻设备,据称每一台的成本大约为2000亿韩元
    的头像 发表于 11-15 15:29 300次阅读
    消息称<b class='flag-5'>三星</b>将投资10万亿韩元购买***