你知道测试功能是可以添加到窗口比较器？

在发明比较器之后可能不会太久，有人想把它们中的两个放在一起制作一个窗口比较器。目前，半导体供应商在两个比较器上的这种流行应用变得更加容易，他们在单个硅芯片上提供两个比较器和一个电压基准。本文采用ADI的代表性双比较器，并展示如何在基本电路中添加外部控制测试功能，以测试电路是否正常工作。

图1显示ADCMP670低 - 电源双比较器配置为窗口比较器，用于监控标称电压为3.6 V的锂离子电池。通常，需要独立监控过电压和欠电压电池偏移，并由于所需的不同响应而单独报告。不同的情况。典型的过压限制约为4.2 V，而典型的欠压限制为2.3 V.

ADCMP670包含两个低功耗比较器和一个共享的高精度400 mV参考电压。每个比较器周围的滞后固定为9 mV。在图1中，通道A监视窗口的高侧。要使电路在4.2 V时报警，所需的R1A / R2A比率为9.5。 B频道观看窗户的低侧。为使其在2.3 V时报警，所需的R1B / R2B比率为4.75。

当该电路正常工作时，OUTA和OUTB都为低，仅高警告条件时。在关键应用中，明智的做法是定期测试窗口比较器，看看事情是否还可以，并确保电路仍在工作。

图2显示了如何轻松添加此测试功能图1的标准电路。晶体管QA与R2A串联，通常 on 。晶体管QB与R2B并联连接，通常 off 。将驱动信号反转到这些晶体管会使上的QA 关闭和QB ，从而将两个比较器同时驱动到其错误状态的方式设置跳闸电平。如果两个组件都正常工作，OUTA和OUTB将被驱动高。当QA和QB驱动电平恢复时，恢复正常跳变电平，输出电平恢复正常工作状态，窗口比较器显示正常工作。

晶体管QA和QB可以是任何通用，低成本，低电压，N沟道MOSFET。它们通常较低的导通电阻不会导致电路操作中的重大错误。

参考电路

比较器选择指南2007