如何提高深紫外LED空穴注入效率

一、引言

以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度快和抗辐射能力强等优点，在固态照明、电子电力和移动通信等领域具有广泛的应用。其中，固态照明对于改善当今全球变暖以及生态环境恶化具有重要的意义。

除了节能环保，以深紫外发光二极管（DUV LED）为代表的紫外LED凭借其光子能量大的特点在杀菌消毒等领域有着广泛应用。

紫外LED根据发光波长可细分为：UVA LED（320 nm<λ<400 nm）、UVB LED（280 nm<λ<320 nm）、UVC LED（200 nm<λ<280 nm）以及VUV（10 nm<λ<200 nm），其中DUV LED的发光波长短于360 nm。而AlGaN材料具有直接带隙且带隙可调（3.4 eV~6.2 eV）的特点，覆盖了绝大部分的紫外发光波段（200 nm ~ 365 nm），因此成为制备DUV LED的理想材料。近年来，得益于AlGaN材料的制备技术更加趋于完善，DUV LED也取得了长足的进步与发展。

图1 DUV LED器件典型的外延结构图

二、问题

尽管如此，基于AlGaN材料的DUV LED目前仍面临诸多问题：

1）LED属于表面出光器件，所以沿着生长方向传输的光子（即TE模式偏振光）更容易被提取，有利于提高器件的光提取效率（LEE）。而相较于InGaN材料，AlGaN材料独特的价带分布导致DUV LED的出光以TM模式偏振光为主，这极大程度上削弱了器件的LEE。具体而言，对于InGaN材料，最靠近布里渊区中心的价带为重空穴带（HH band），所以载流子的复合以C-HH跃迁为主，TE模式偏振光占主导；对于AlN材料，最靠近布里渊区中心的价带为晶格场劈裂带（CH band），所以载流子的复合以C-CH跃迁为主，TM模式偏振光占主导。

2）尽管AlGaN外延生长水平取得了一定的进步，但目前DUV LED器件的穿透位错密度（TDD）仍高达109~1010cm-2，严重增加了有源区内SRH复合几率，降低DUV LED的内量子效率（IQE）。

3）III-V族氮化物中存在的极化效应引起量子阱能带的弯曲，造成电子与空穴波函数空间分离，严重削弱载流子的复合效率，即所谓的量子限制斯塔克效应（QCSE）。尤其是AlGaN材料自发极化强度明显强于InGaN材料。

4）低空穴浓度与低空穴迁移率将导致电流主要拥挤在电极下方，引起电流拥挤效应。从而造成载流子局域浓度的升高，增加了有源区内俄歇复合几率，造成器件结温的升高，影响DUV LED的使用寿命。

5）低载流子注入效率进一步限制了DUV LED的器件性能，尤其是空穴注入效率。一方面，随着Al组分的增加，Mg杂质的电离能逐渐增大，导致Mg的离化率极低；另一方面，p-EBL在抑制电子泄漏的同时还会阻碍空穴注入至有源区，尤其是空穴的迁移率比较低。

三、措施

针对DUV LED器件中的低空穴注入效率，来自河北工业大学张紫辉教授团队对DUV LED器件结构进行优化设计，提出了介电调控隧穿结、电场存储器概念、p-AlyGa1-yN/p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN (x

1. 介电调控隧穿结

传统LED的p型电极直接溅射蒸镀在p型半导体层，而低Mg掺杂效率导致p型半导体层中存在明显的空穴耗尽区，增加器件工作电压的同时减小了供给层中的空穴浓度。

为此，研究人员提出利用传统同质隧穿结（p+-Gan/n+-GaN）和极化隧穿结（p+-Gan/InGaN/n+-GaN），其中n+-GaN层做金属接触层，来改善LED器件的空穴注入及电学特性。而对于UV LED而言，InGaN插入层对紫外波段的光子存在着严重的光吸收。

同时，鉴于AlGaN材料的相对介电常数随着AlN组分的增加而减小，如图2（a），张紫辉教授团队采用AlGaN材料做插入层，并提出介电调控隧穿结的概念，利用增强的结区电场来增加电子的隧穿几率，从而提高p+-Gan层中的非平衡态空穴浓度。

图2（a）AlxGa1-xN层相对介电常数和AlN组分之间的关系；（b）具有传统同质隧穿结的器件（A1）和具有介电调控隧穿结的器件（A2）隧穿结区的电场分布图。插图为隧穿结区电场峰值和极化水平之间的关系。

2. 电场存储器

传统的DUV LED器件的空穴供给层包括p-AlGaN层和p-GaN层两部分。二者界面处存在着阻碍空穴从p-GaN层注入至p-AlGaN层的势垒高度（即Φh），因此在p-AlGaN层靠近p-GaN层附近处产生空穴耗尽区，如图3（a），而且该耗尽区宽度随Φh增加，造成空穴在p-AlGaN层中被严重地耗尽。

针对此问题，张紫辉教授团队发现该耗尽电场方向与空穴传输方向一致，可以对空穴起到一定的加速效果，增加空穴注入至有源区的能力，如图3（b）， 此外，Φh保证了p-AlGaN层中的耗尽电场并不会被自由载流子所屏蔽。因此该团队提出了电场存储器的概念，即空穴可以从该耗尽电场中源源不断地获取能量。

图3 (a) DUV LED器件的空穴供给层p-AlxGa1-xN/p-GaN异质结对应的能带图，其中p-AlxGa1-xN层存在界面耗尽区；(b) p-AlxGa1-xN层界面耗尽区中的电场方向示意图。

3. p-AlyGa1-yN/p-AlxGa1-xN/p-AlyGa1-yN (x

p-EBL防止电子泄漏同时也会阻碍空穴注入至有源区。图4（a）表明大量空穴将积聚在p-EBL/p-AlGaN界面处，只有少数具有高能量的空穴通过热辐射机制（即P1）注入至有源区。通过与***交通大学Kuo Hao-Chung教授团队进行合作研究，张紫辉教授和Kuo Hao-Chung教授等人建议在EBL中靠近p-AlGaN层一侧插入一层薄的低禁带宽度的材料，利用带内隧穿机制（即P0）减小空穴在p-EBL/p-AlGaN界面处的积聚，接着空穴通过热辐射机制（P2）注入至有源区，如图4（b），4（c）。

图4 (a) 传统DUV LED器件的能带示意图；(b) 具有p-AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlxGa1-xN (x>y) EBL的DUV LED器件的能带示意图；(c) p-EBL和p-AlGaN层的空穴分布图。

4. 极化效应对空穴注入的影响

III-V族氮化物具有一个重要的物理性质，即极化效应。对于传统的[0001]晶向DUV LED，极化效应不仅导致了量子限制斯塔克效应，而且严重影响载流子的注入效率，造成器件性能的衰减。然而，当整体改变DUV LED器件结构的极化水平，[0001]晶向（极化水平大于0）的器件性能明显优于[000-1]晶向的器件，而且光输出功率随着极化水平增加而进一步被改善如图5（a）。图5（b）表明不同极化水平下，空穴在有源区、p-EBL和空穴供给层中的分布迥然不同。

张紫辉教授团队对该现象做了详细的研究，发现增加p-EBL/p-AlGaN/p-GaN界面处的极化水平，一方面增加了空穴的能量，另一方面削弱了p-EBL对空穴的阻碍势垒高度，从而提高空穴注入效率，改善DUV LED的器件性能。

图5 注入电流为 35mA时，(a) DUV LED器件光输出功率与极化水平之间的关系 和(b) 不同极化水平下，量子阱，p-AlGaN层和p-GaN层中的空穴分布图。

5. 不同AlN组分量子垒对空穴注入的影响

张紫辉教授与Kuo Hao-Chung教授等人还发现，最后一个量子垒和p-EBL界面处的极化电荷对空穴注入效率有着重要的影响。当适当增加量子垒组分的时候（E3>E2>E1），量子阱中电子浓度明显增加，这主要是量子垒对电子的束缚能力得到增强，如图6（a）。同理，量子垒对空穴的阻碍作用也会明显地增强，理论上不利于空穴的注入，但是图6（b）表明空穴随着量子垒组分的增加而增加。这是由于随着量子垒中AlN组分的增加，最后一个量子垒和p-EBL间的极化失配度减小，削弱了p-EBL对空穴的阻碍能力，从而提高有源区内空穴的浓度，如见图6（c）。

图6 注入电流密度为100 A/cm2时，（a）量子阱中的电子分布；(b) 量子阱中的空穴分布和（c）UVA LED器件能带示意图。

四、结语

DUV LED拥有巨大的市场价值和广阔的应有前景，但低空穴注入效率严重限制了DUV LED的进一步普及。除了在外延生长技术方面寻求突破，了解DUV LED内部物理机理有利于研究领域人员更好地认知DUV LED，改善DUV LED器件性能。