采用GaN和SiC技术的新一代半桥逆变器的性能分析
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量，通過提高開關頻率來實現。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
逆变器
+关注
关注
283文章
4671浏览量
206117 -
SiC
+关注
关注
29文章
2747浏览量
62394 -
GaN
+关注
关注
19文章
1913浏览量
72838
发布评论请先 登录
相关推荐
SiC和GaN：新一代半导体能否实现长期可靠性?
近年来，电力电子应用中硅向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的转变越来越明显。在过去的十年中，SiC和GaN半导体成为了推动电气化和强大未来的重要力量。得益于其固有特性，宽禁带半导体正
SiC MOS卓越性能的材料本源
来源：凌锐半导体 SiC MOS凭借其性能优势为越来越多的行业，如储能，充电桩，光伏逆变器所采用。特别是在采用800V电池系统的新能源车中1
威兆半导体发布新一代高性能SiC MOSFET
在近日举行的elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体震撼发布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，该产品以其卓越的性能和创新的设计，
微型逆变器性能跃升：SiC器件的关键作用
随着光伏储能技术的崛起，SiC器件已成为微型逆变器性能提升的关键。看SiC器件如何为光伏储能带来革命性的改变！ 编者按： 在当今能源转型的大
基于 GaN 的 MOSFET 如何实现高性能电机逆变器
，设计人员可以使用氮化镓(GaN)来实现这些目标，氮化镓是一种宽带隙(WBG)FET器件技术，在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改进和进步。G
PMP22089.1-配备 GaN 技术的半桥点负载转换器 PCB layout 设计
电子发烧友网站提供《PMP22089.1-配备 GaN 技术的半桥点负载转换器 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
发表于 05-16 15:10
•0次下载
碳化硅模块（SiC模块/MODULE）大电流下的驱动器研究
与保护问题，设计了一款驱动器。采用高可靠性、高抗扰性能的电源及驱动芯片设计驱动电路，增加共模电感提高驱动电路抗扰性能，设计短路保护电路实现对大电流短路故障的快速响应。通过对
发表于 05-14 09:57
英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术
英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 和 1200 V
英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术
英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和
晶能微电子10亿元SiC半桥模块制造项目签约嘉兴
近日，浙江晶能微电子有限公司与嘉兴国家高新区成功签约，共同打造一项总投资约人民币10亿元的SiC半桥模块制造项目。该项目由晶能微电子携手星驱技术
同是功率器件，为什么SiC主要是MOSFET，GaN却是HEMT
迁移率晶体管）。为什么同是第三代半导体材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？为什么没有GaN MOSFET产品？下面我们来简单分析
工商网监
评论