采用GaN和SiC先进开关技术的逆变器
新一代逆变器采用GaN和SiC等先进开关技术。宽带隙功率开关，具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更轻的重量，通过提高开关频率来实现。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
开关
+关注
关注
19文章
3136浏览量
93598 -
逆变器
+关注
关注
283文章
4715浏览量
206676 -
GaN
+关注
关注
19文章
1933浏览量
73278
发布评论请先 登录
相关推荐
在混合电源设计上，Si、SiC、GaN如何各司其职？
，电子发烧友近期对此也进行了报道。 在电源、逆变器等领域，近年第三代半导体的兴起，让各种采用SiC和GaN的方案出现在市场上，同时也包括多种器件混合使用的方案，所以这些混合方案都有哪些
开关损耗更低、效率更高，增速超越SiC，GaN开始进军光储、家电市场
的逆变器则主要采用了SiC。 但近年来GaN开始向着全功率市场扩展，甚至朝着SiC的光储、家电等优势领域进发，这或许意味着
SiC和GaN器件的两大主力应用市场
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是宽禁带(WBG)半导体材料，由于其独特性，使其在提高电子设备的效率和性能方面起着至关重要的作用，特别是在DC/DC转换器和DC/AC逆变器领域。
GaN，又有新突破?
PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC，这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场? 近日，Power Integrations(以下简称PI)宣布推出InnoMux™-2系列单
恩智浦和采埃孚合作开发基于SiC的电动汽车牵引逆变器解决方案
恩智浦半导体宣布与电动汽车领域领先企业采埃孚股份公司（ZF Friedrichshafen AG）合作下一代基于SiC的电动汽车（EV）牵引逆变器解决方案。解决方案采用恩智浦先进的GD
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册
电子发烧友网站提供《QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册.pdf》资料免费下载
发表于 07-31 13:24
•0次下载
微型逆变器性能跃升：SiC器件的关键作用
随着光伏储能技术的崛起，SiC器件已成为微型逆变器性能提升的关键。看SiC器件如何为光伏储能带来革命性的改变！ 编者按： 在当今能源转型的大背景下，微型
基于 GaN 的 MOSFET 如何实现高性能电机逆变器
推动更高效的能源利用、更严格的监管要求以及研发了冷却操作的技术都能够实现减少电动机的功耗，虽然硅MOSFET等开关技术已得到广泛应用，但它们通常无法满足关键逆变器应用更苛刻的性能和效率
SiC与GaN 功率器件中的离子注入技术挑战
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体预计将在电力电子器件中发挥越来越重要的作用。与传统硅(Si)设备相比，它们具有更高的效率、功率密度和开关频率等主要优势。离子注入是在硅器件
水下航行器电机的SiC MOSFET逆变器设计
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计
发表于 03-13 14:31
•335次阅读
基于SiC功率模块的高效逆变器设计方案
适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
发表于 01-26 10:25
•490次阅读
SiC逆变器的制造流程有哪些
iC逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
设计SiC逆变器有哪些流程
SiC（碳化硅）逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性
同是功率器件，为什么SiC主要是MOSFET，GaN却是HEMT
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
工商网监
评论