抢先看第三代半导体GaN与SiC技术沙龙

随着全球5G网络规模化部署和商业化进程加速，电动汽车驱动系统小型轻量化需求的提升，GaN和SiC功率半导体市场规模呈现井喷式增长，吸引了诸多国际厂商纷纷布局。凭借超高热导率、高电子迁移率等材料特性，GaN与SiC在应用上形成了优势互补，剑指高低压、高频及高功率领域，两者的应用场景几乎覆盖了新能源汽车、光伏、智能电网、5G基站、无线充电等大多数未来前景可期的新兴应用市场。

再加上国家和各地方政策持续利好，有望推动国内第三代半导体产业弯道超车。有数据显示，2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元，预计到2023年市场总额将达16.44亿美元，年复合增长率为26.6%。与此同时，预计到2026年，全球GaN功率器件市场规模将达到4.4亿美元，复合年增长率为29.4%。

5月29日下午，博闻创意在深圳南山科技园与您相约“第三代半导体GaN与SiC技术应用沙龙”，与国内外宽禁带半导体行业专家学者面对面交流经验，共同探讨第三代半导体GaN与SiC的最新技术发展动态及应用设计技巧，让您和更多的同行一起切磋论道！

会议时间：2019年5月29日13:00至17:30
会议地点：深圳市南山区科技园康佳研发大厦B区7楼
【名额有限！火速报名】

特邀主讲嘉宾


【嘉宾简介】
头衔：加拿大皇后大学正教授，IEEE电力电子学会副会长，加拿大工程院院士，电力电子技术领域全球权威专家，美国电气与电子工程师学会会士(IEEE Fellow)
成就：美国专利40项，其中一些专利技术已经实现销售额超过3亿元，在国际重要期刊和国际会议上发表论文180余篇

会议议程

13:00-13:30 签到
13:30-14:10 SiC功率器件驱动电路优化设计
Anup Bhalla,CTO,United SiC
14:10-15:40 技术突破：如何让氮化镓器件发挥出最大优势？
IEEE电力电子学会副会长、加拿大工程院院士 刘雁飞
15:40-16:10 茶歇
16:10-16:50 采用SiC器件的高功率密度航空电源技术
清华大学博士、副教授 许烈
16:50-17:30 宽禁带半导体技术的发展现状及其应用
西安电子科技大学 祝杰杰博士