中美贸易战下,存储器市场波动情形持续受关注,研调机构集邦科技近日举行“Compuforum 2019:资料经济大未来”研讨会,资深协理吴雅婷预估,今年整体DRAM销售额将年减29.3%,整体NAND Flash业绩则将较去年下滑27.3%,不过,两者均将在明年恢复正成长。
展望存储器后市,吴雅婷表示,今年无论DRAM、NAND Flash均供过于求,导致价格持续走跌,全年业绩也将负成长,预估DRAM销售额年减29.3%、NAND Flash年减27.3%。
价格方面,受服务器与智能手机需求下滑,导致消耗量急冻与库存攀高,今年DRAM供过于求情形较去年扩大,而NAND因竞争激烈,加上从2D NAND转向不同程度的3D NAND,造成供给位大幅度增长,虽目前跌幅稍微收敛,但去年累积的库存量仍高,两者价格仍处跌势。全年而言,吴雅婷预估DRAM价格下滑近5成,NAND近4成。
不过,随需求陆续回温与价格变化带出库存回补动能,集邦预期存储器价格在2020年止跌反弹。
技术发展方面,吴雅婷指出,现有存储器面临制程持续微缩的物理极限,目前英特尔、三星与美光等存储器大厂均投入开发下一代解决方案,如MRAM、PRAM和RRAM等。如英特尔的服务器产品Optane,以3DxPoint为设计基础,并具有与市面上服务器模块完全兼容的DIMM,对主板设计厂而言,同样的插槽可依成本考虑,自由更换服务器存储器模块或Optane解决方案。
不过,下一代存储器尚未规模化与标准化,成本仍较高,吴雅婷认为,下一代存储器与现有解决方案各有优缺,下一代能否放量的关键仍是价格。目前DRAM、NAND非常便宜,下一代较没有发展空间,预期2020年DRAM跟NAND价格恢复,次世代才有机会放量。她还强调,不认为下一代存储器会取代现有解决方案,而是在部分终端产品市场与DRAM和NAND共存。
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原文标题:存储器市场销售额恐年减近3成,明年将恢复正成长
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