0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

3nm晶体管!中国芯片领域研究又有新突破

kus1_iawbs2016 来源:YXQ 2019-06-13 16:10 次阅读

据香港《南华早报》网站5月27日报道,现如今,市场上最先进的计算机芯片使用7纳米晶体管。中国科学院微电子研究所微电子设备与集成技术领域的专家殷华湘说,他的团队已经研发出3纳米晶体管——相当于一条人类DNA链的宽度,在一个指甲盖大小的芯片上能安装数百亿个这种晶体管。

殷华湘说,晶体管变得越小,芯片上就能安装越多的晶体管,这会让处理器的性能显著提升。晶体管是处理器的基本部件。殷华湘说,用3纳米晶体管制造的处理器将会增加计算速度,并降低能耗。比如一位智能手机用户可以整天玩需要大量计算能力的游戏,却不需要为电池重新充电。

殷华湘说,他的团队还必须克服一些重大障碍。他们的研究成果本月部分发表在同行评议杂志《电气电子工程师协会电子器件通讯》上。其中一个障碍是“波尔兹曼暴政”。路德维希·波尔兹曼是19世纪的奥地利物理学家。“波尔兹曼暴政”描述的是有关电子在一个空间中的分布问题。对芯片研发者来说,这意味着随着更多较小的晶体管安装到芯片上,晶体管所需电流产生的热量将烧毁芯片。

报道称,物理学家已经为这个问题提供了解决办法。殷华湘说,他的团队使用一种称为“负电容”的方法,这样他们能用理论上所需最小电量的一半电量来为晶体管提供电力。这种晶体管实现商业应用可能要花几年时间。该团队正在进行材料和质量控制方面的工作。

殷华湘说:“这是我们工作中最激动人心的部分。这不仅是实验室中的又一项新发现。它有着实际应用的巨大潜力。而我们拥有专利。”

报道称,殷华湘说,这项突破将让中国“在芯片研发的前沿同世界头号角色进行正面竞争”。他说:“在过去,我们看着其他人竞争。现在,我们在同其他人竞争。”

据报道,中国还在研发一种原子大小(0.5纳米)的晶体管,而其他国家已经加入将3纳米晶体管投入市场的竞赛。

韩国三星公司说,它计划到明年上半年完成3纳米晶体管的研发。三星说,同7纳米技术相比,用它的3纳米晶体管制造的处理器只需用一半的电力,性能却会提高35%。三星没有说它预计这些芯片将于何时投产。


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    456

    文章

    50953

    浏览量

    424766
  • 晶体管
    +关注

    关注

    77

    文章

    9706

    浏览量

    138492

原文标题:中国芯片领域研究又有新突破!

文章出处:【微信号:iawbs2016,微信公众号:宽禁带半导体技术创新联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    性能杀手锏!台积电3nm工艺迭代,新一代手机芯片交战

    面向性能应当会再提升,成为联发科抢占市场的利器。高通虽尚未公布新一代旗舰芯片骁龙8 Gen 4亮相时间与细节。外界认为,该款芯片也是以台积电3nm制程生产,并于第四季推出。   台积电3nm
    的头像 发表于 07-09 00:19 5260次阅读

    英特尔IEDM 2024大晒封装、晶体管、互连等领域技术突破

    芯东西12月16日报道,在IEDM 2024(2024年IEEE国际电子器件会议)上,英特尔代工展示了包括先进封装、晶体管微缩、互连缩放等在内的多项技术突破,以助力推动半导体行业在下一个十年及更长
    的头像 发表于 12-25 09:52 178次阅读
    英特尔IEDM 2024大晒封装、<b class='flag-5'>晶体管</b>、互连等<b class='flag-5'>领域</b>技术<b class='flag-5'>突破</b>

    IBM与Rapidus在多阈值电压GAA晶体管技术的新突破

    IBM 与日本芯片制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上,对外展示了双方携手合作所研发的多阈值电压 GAA 晶体管技术成果。该技术上的重大突破预计会被应用于
    的头像 发表于 12-12 15:01 226次阅读

    台积电产能爆棚:3nm与5nm工艺供不应求

    台积电近期成为了高性能芯片代工领域的明星企业,其产能被各大科技巨头疯抢。据最新消息,台积电的3nm和5nm工艺产能利用率均达到了极高水平,其中3nm
    的头像 发表于 11-14 14:20 390次阅读

    联发科将发布安卓阵营首颗3nm芯片

    联发科正式宣告,将于10月9日盛大揭幕其新一代MediaTek天玑旗舰芯片发布会,届时将震撼推出天玑9400移动平台。这款芯片不仅是联发科迄今为止最为强大的手机处理器,更标志着安卓阵营正式迈入3nm工艺时代,成为业界首颗采用台积
    的头像 发表于 09-24 15:15 630次阅读

    NMOS晶体管和PMOS晶体管的区别

    NMOS晶体管和PMOS晶体管是两种常见的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类型,它们在多个方面存在显著的差异。以下将从结构、工作原理、性能特点、应用场景等方面详细阐述NMOS晶体管
    的头像 发表于 09-13 14:10 4114次阅读

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管的区别

    CMOS晶体管和MOSFET晶体管在电子领域中都扮演着重要角色,但它们在结构、工作原理和应用方面存在显著的区别。以下是对两者区别的详细阐述。
    的头像 发表于 09-13 14:09 1870次阅读

    芯片晶体管的深度和宽度有关系吗

    一、引言 有关系。随着集成电路技术的飞速发展,芯片晶体管作为电子设备的核心元件,其性能的优化和制造技术的提升成为了行业关注的焦点。在晶体管的众多设计参数中,深度和宽度是两个至关重要的因素。它们不仅
    的头像 发表于 07-18 17:23 740次阅读

    台积电3nm工艺稳坐钓鱼台,三星因良率问题遇冷

    近日,全球芯片代工领域掀起了不小的波澜。据媒体报道,台积电在3nm制程的芯片代工价格上调5%之后,依然收获了供不应求的订单局面。而与此同时,韩国的三星电子在
    的头像 发表于 06-22 14:23 1180次阅读

    微电子所在《中国科学:国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构晶体管的综述论文

    来源:中国科学院微电子研究所 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是推动大规模CMOS集成电路按照“摩尔定律”持续微缩并不断发展的核心器件。近十几年,为突破更小技术节点下的
    的头像 发表于 05-31 17:39 471次阅读
    微电子所在《<b class='flag-5'>中国</b>科学:国家科学评论》发表关于先进CMOS集成电路新结构<b class='flag-5'>晶体管</b>的综述论文

    苹果M3芯片晶体管数量

    苹果M3芯片晶体管数量相当可观,相比前代产品有了显著的提升。这款芯片搭载了高达250亿个晶体管,比M2
    的头像 发表于 03-11 16:45 937次阅读

    苹果M3芯片有多少晶体管组成

    苹果M3芯片晶体管数量上有了显著的提升。具体来说,标准版的M3芯片内部集成了250亿个晶体管
    的头像 发表于 03-08 17:00 1051次阅读

    苹果M3芯片有多少颗晶体管

    苹果M3芯片搭载了250亿个晶体管,相较于前代M2芯片多了50亿个晶体管。这一显著的提升使得M3
    的头像 发表于 03-08 16:58 1188次阅读

    M3芯片有多少晶体管

    M3芯片晶体管数量根据不同的版本有所差异。具体来说,标准版的M3芯片拥有250亿个晶体管,这一
    的头像 发表于 03-08 15:43 1111次阅读

    ISSCC 2024台积电谈万亿晶体管3nm将导入汽车

    台积电推出更先进封装平台,晶体管可增加到1万亿个。
    的头像 发表于 02-23 10:05 1308次阅读
    ISSCC 2024台积电谈万亿<b class='flag-5'>晶体管</b>,<b class='flag-5'>3nm</b>将导入汽车