当导通孔直径越来越小,厚径比越来越高时,要保证孔中的金属覆盖良好变得更加困难。而保证孔中金属的均匀一致性,保护孔中金属在图形电镀及以后的掩膜及蚀刻过程中不被蚀刻掉,也变得极具挑战性。
本文列出了导致通孔铜层空洞的许多原因:
1、金属化以前步骤可能导致孔中空洞的因素:A. 钻孔;B.去沾污/凹蚀;C.化学沉铜前的催化步骤。
2、与化学沉铜有关的孔中空洞:气泡褒入,有外来的和内在产生的气泡。外来气泡有时可能是板子进入槽中,或振荡摇摆时进入通孔中。而固有气泡是由化学沉铜液中附反应产生氢气引起,或电镀液中阴极产生氢气或阳极产生氧气。气泡引起的空洞有其特征:常常位于孔中央,而且在金相中对称分布,即对面孔壁有同样宽度范围内无铜。在孔壁表面镀上若有气泡,表现为小坑,空洞周围呈穗状。由尘埃,棉质品或油状膜引起的空洞,形状极不规则。有些防碍电镀或活化沉积的微粒还会被镀层金属包裹。
3、干膜有关的孔中空洞:孔口或孔边空洞是由于抗蚀剂进入孔内,显影时未去掉,它阻碍铜,锡,焊料电镀,抗蚀剂在去膜时去掉,化学铜被蚀刻掉。一般显影后很难发现孔内的抗蚀剂,空洞所在的位置和缺陷宽度是判断孔口和孔边空洞的主要依据。抗蚀剂为何流入孔中?被抗蚀剂覆盖的孔中气压比大气压低20%,贴膜时孔中空气热,空气冷到室温时气压降低。气压导致抗蚀剂慢慢流入孔中,直至显影。
4、与掩孔有关的空洞:掩孔工艺中,如果掩膜不好会造成蚀刻剂进入孔中,蚀刻去沉积的铜。掩膜的机构损伤是动态发生的,而上下掩膜一起出现空洞的情况较少。同样,掩膜很薄弱,造成孔内负压,最终导致掩孔缺陷,这层掩膜又可以降低负压,对面的掩膜较易生存。一面的掩膜破坏,蚀刻剂进入孔中,靠破的掩膜一边的铜首先被蚀刻掉。另一面,掩膜堵住了蚀刻剂的出口,蚀刻液交流太少,故空洞图形也是较对称的,表现为一端铜厚,另一端薄。根据掩膜损伤的程度,情况也不一样,极端情况下,所有的通孔铜都被蚀刻掉。
5、直接电镀:直接电镀,避免了传统的化学沉铜,但有三类预处理工艺步骤;如:钯基体工艺,碳膜工艺,有机导电膜工艺。任何能影响催化物沉积的情形,或者是沉高分子导电膜时,单体沉积和聚合物组成物沉积能形成空洞。
6、在电镀铜,电镀铅锡(成纯锡)有关的空洞:除抗蚀剂残渣和气泡等阻碍电镀外,其他造成电镀空洞的几个明显问题有:穿透力及差以及异物堵塞。
7、由于铜被蚀刻而造成的空洞:若电镀的金属抗蚀剂有任何问题,都会将通孔中的铜暴露于蚀刻剂中,从而导致空洞。在这种情况下,空洞是由于铜被蚀刻掉而非未沉积上铜造成的。这可是有一点违背先后顺序,在这里仍然要强调铜被蚀刻掉,从而造成空洞的原因。
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