关于Vishay DG增强模拟开关IC性能分析
Vishay DG 增强模拟开关 IC 具有 16V 扩展工作电压范围和增强的漏电流限制。 DG 增强 IC 还具有更低的开关导通电阻以及整体降低的功耗。 该 IC 提供增强的坚固性，同时具有更高的闭锁电流和更强的 ESD 能力。 DG 增强系列采用高密度工艺制造，不仅提高了制造能力，还缩短了交付时间。 该 IC 支持诸如工业、仪器以及医疗等市场的模拟开关产品。
特性
从目前的 12V 和 ±6V 工作电压分别扩展到 16V 单电源电压和 ±8V 双电源电压
开关导通电阻更低，容差得到改进
开关漏电限制得到改进，降低了 50%
寄生电容更低，降低了约 30%
功耗降低约 98%，从 0.2mA 降低到 3.5uA (V+ = 12V)
闭锁电流 从 200mA 提高到 300mA
ESD/HBM 从 2KV 增强到 2.5KV
应用
自动检测设备
过程控制和自动化
数据采集系统
仪表和仪器
医疗和保健系统
通信系统
继电器替代品
电池供电系统
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