瑞萨电子发布了业界第一款使用28nm工艺的集成闪存微控制器

这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心，成为业界第一款能达到9600MIPS指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内置闪存以及更完善的安保功能和功能安全性。

RH850/E2x系列是一款采用28nm工艺的突破性的车用控制MCU，为云服务互连和环境感知而设计。它具备下一代汽车控制系统所需的先进技术，并与瑞萨R-Car系列片上系统（SoC）组成了Renesas autonomy平台的主要产品支柱。汽车制造商及日本电装等一级供应商，已经开始采用该28nm MCU产品，并一致认同该MCU优越的处理性能可帮助发展下一代的节能型发动机。

产品是新一代汽车控制RH850/E2x系列MCU

从底层硬件扩展了整个Renesas autonomy端到端解决方案组合

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）发布了业界第一款使用28nm工艺的集成闪存微控制器（MCU），并于即日起开始交付样片。为了打造下一代更高效、更可靠的环保汽车和自动驾驶汽车，这款革命性的RH850/E2x系列微控制器内置了多达6个400Mhz的处理器核心，成为业界第一款（注1）能达到9600MIPS（注2）指令处理能力的车用控制片内闪存MCU。该系列MCU还具有多达16MB的内置闪存以及更完善的安保功能和功能安全性。

Renesas autonomy是瑞萨电子面向智能辅助驾驶和自动驾驶开发推出的开放、创新和可信赖的开发平台。通过该平台，瑞萨电子为汽车行业向下一代环保汽车、网联汽车、自动驾驶汽车的进化提供端对端的解决方案。28nm工艺的车用控制MCU是一款突破性的产品，为云服务互连和环境感知而设计。它具备下一代汽车控制系统所需的先进技术，并与瑞萨R-Car系列片上系统（SoC）组成了Renesas autonomy平台的主要产品支柱。汽车制造商及日本电装等一级供应商，已经开始采用该28nm MCU产品，并一致认同该MCU优越的处理性能可帮助发展下一代的节能型发动机。同时该MCU具有空前的可扩展性，使其能够作为一个平台应对未来汽车电子/电气架构的演变，以及这一变化所带来的电子控制单元（ECU）集成需求。

新款RH850/E2x 系列MCU的主要性能

•超强处理性能，实现环保汽车所需的复杂车辆控制

为了研发环境友好的车辆和下一代节能型发动机，需要超强处理性能来支持新的燃油系统设计。此外，用于电动汽车和混合动力汽车的小型化高效发动机和变流器，卓越的处理性能和高集成度是必不可少的条件。最新发布的28nm工艺闪存MCU是全球第一款拥有高达6颗400MHz处理核心和9600MIPS指令速度的微控制器。相较于早期40nm的 MCU，新的RH850/E2x系列MCU能在同等功耗水平下可以实现3倍的处理性能。RH850/E2x系列内置的增强型传感器接口可为汽车控制系统的集成提供了更好的精准控制功能。针对于新款MCU，瑞萨电子的合作伙伴也将提供多核的虚拟环境和基于模型的开发环境。

•用于网联汽车的大容量闪存支持先进的OTA软件更新

无线下载OTA功能的需求促使了内置闪存容量的不断增大。OTA功能可以自动通过无线网络更新车辆的电子控制单元（ECU）固件，改善和提高系统的安全性能。RH850/E2x系列集成16MB的闪存ROM，并支持根据用户需求而有选择的只更新闪存的特定区域。RH850/E2x增强了的串行通信接口的配置，支持多达10通道的CANFD接口和1通道的以太网接口。支持Evita Medium的硬件安保功能支持微控制器实现快速可靠地进行OTA软件更新。

•用于自动驾驶汽车的增强型的功能安全性

为达到ISO26262 汽车电子/电气系统功能安全标准中的最高级别ASIL-D标准，RH850/E2x系列产品采用双核锁步架构，保证两颗处理内核的运算结果完全一致。RH850/E2x最高可提供4组互锁双核，并具备诸多硬件的功能安全性改进。在生命攸关的应用中，这些功能会在故障发生时立即检测到问题，并时刻维持系统的安全。瑞萨电子将提供安全分析工具来帮助实现各种适用于不同应用场景的安全系统。

继于2015年2月28nm嵌入式闪存的工艺开发公布后，瑞萨电子于2016年9月宣布与台积电合作生产28nm MCU。今日向市场推出全球第一款28nm嵌入式闪存MCU，将成为瑞萨电子的另一个重要里程碑。瑞萨电子已经验证了在16/14nm及下一代MCU产品上应用鳍状MONOS闪存技术。作为全球领先的汽车半导体解决方案供应商，瑞萨电子致力于用科技创新来推动行业发展并建设一个安全可靠的汽车社会。

为确保RH850/E2x系列的可扩展性，除28nm闪存MCU外，瑞萨电子还公布了两款40nm工艺的MCU，具备上述产品特性中的第（1）和（3）点。采用28nm工艺和40nm工艺生产的RH850/E2x系列MCU样片将于2018年3月开始供货。

RH850/E2x系列产品的详细参数请参阅附录。

（注1）当前性能与其他公司公开数据比较，数据来源于瑞萨研究部门。

（注2）MIPS指百万条指令每秒，是表示计算机处理性能的一种方式。

关于瑞萨电子的MONOS（金属氧化氮氧化硅）嵌入式闪存技术

MONOS是一种闪存晶体管的结构，每个晶体管由硅基底座和三层绝缘体氧化物-氮化物-氧化物构成，且上方设有金属控制门。瑞萨电子多年来为IC卡技术提供微控制器，从而在MONOS闪存技术的应用方面积累了20多年的经验。基于在MONOS技术上优异的成绩，瑞萨电子成功地开发出适用于MCU内部闪存的分离闸（Split-Gate, SG）结构。此项新型的“SG-MONOS”闪存能够实现微控制器高可靠性、高速、以及低能耗的功能。