绝缘栅场效应管
绝缘栅场效应管的种类较多,有PMOS、NMOS和VMOS功率管等,但目前应用最多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管,通常用MOS表示,简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗(可达1012Ω以上),并且制造工艺比较简单,使用灵活方便,非常有利于高度集成化。
增强型MOS管结构
1、栅极G与漏极D、源极S之间相绝缘,它们之间的电阻无限大;
2、没有外加电压时漏极与源极之间不导通;增强型NMOS管是以P型硅片作为基片(又称衬底),漏极连接的为N半导体,衬底与源极连在一起,故P型衬底与漏极N型半导体会形成二极管,称为寄生二极管;因此漏极和源极之间的反向电阻很小。
增强型MOS管工作原理:在栅极与源极之间加上正向电压后,达到一定值后就会形成导电沟道,改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力;
耗尽型MOS管结构
1、栅极与漏极、源极绝缘,它们之间的电阻无限大;
2、漏极与源极之间能够导通,沟道在制造时就已形成;在栅极与源极之间加上反向向电压后,改变电压就改变了导电沟道的宽度和导电能力;
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