0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

日材料禁运对SAMSUNG和SK海力士影响甚微 而NAND却上涨了10%

渔翁先生 来源:电子发烧友网 作者:Allen Yin 整合 2019-07-18 11:26 次阅读

日韩事件持续发酵,其中对向韩国出口几种化学材料的监管被各大媒体报道。韩国三星电子(SAMSUNG)和SK海力士受影响程度被严重放大,俨然被看成是下一个“华为事件”。因为禁运材料主要是用于芯片智能手机生产。

我们知道的是,自7月1日开始,日本加强了对向韩国出口材料的监管,限制主要包括氟化聚酰亚胺,用于电视和智能手机的有机发光二极管OLED)屏幕,以及用于制造半导体的光刻胶和氟化氢。

根据韩国国际贸易协会的数据,韩国进口的抗蚀剂占91.9%,蚀刻气体占43.9%,日本的聚酰亚胺含量为93.7%,这意味着这些贸易限制可能会迫使韩国科技制造公司对其产生重大转变。例如供应链端生产运行的影响。

图1-资料来源:韩国国际贸易协会

如上(图1)数据显示,2019年1月~5月韩国从日本购买了10352万美元的光刻胶,4400万美元的蚀刻气体和1214万美元的氟化聚酰亚胺。

当封禁的消息公布后,韩国半导体市场出现微小震荡。其中代表性科技企业如三星电子,LG电子等股市K线略有下滑,但后续又出现反弹迹象。

还有人猜测被限制的光刻胶材料对韩国三星电子和SK海力士的DRAM和NAND芯片生产产生影响,甚至影响到用于制造智能手机和电视的显示器市场。那么究竟真正的影响情况是如何呢?

光刻胶,对存储芯片生产没有影响

光致抗蚀剂是光敏聚合物,其涂覆在硅晶片上并通过光掩模用光刻系统(光源)图案化以形成构成集成电路的特定结构。

图2:不同类型的光刻技术在不同波长下工作。

如图2所示,EUV使用极短波长为13.5nm的光源。这一点至关重要,因为关于禁运的新闻文章忽略了日本对韩国光刻胶的禁运只涉及EUV。然而,ArF光刻技术是三星,SK海力士(以及所有其他存储器制造商)大量使用的方式,并未被禁运所覆盖。

根据METI条例的规定事项,禁运光刻胶定义如下:

(1)对于使用小于193nm且大于15nm的光波长而优化的正抗蚀剂

(2)抗蚀剂优化使用小于15nm和超过1nm的光波长

参照图2可知,EUV是小于193nm(ArF浸没)和小于15nm且大于1nm的。因此,禁运抗蚀剂用于EUV光刻,而非主流193浸没DUV光刻。

图3说明了IC器件发展路线图和设备使用情况。NAND不会使用EUV,因为它的尺寸太大并且不具备成本效益。而DRAM是另一回事,三星和SK海力士正在努力探索EUV的使用。

图3

然而,涉及光刻胶的EUV将影响三星的代工业务。三星曾指出,“它已经完成了7nm工艺技术的开发,并已开始生产其革命性工艺晶圆节点,投产7nm LPP(低功率Plus)工艺,并将首次应用到EUV光刻技术。”

受此禁运影响的的公司包括日本东京Ohka Kogyo,信越化学和JSR。

蚀刻气体,对存储芯片生产影响最小

氟化氢主要用作清洁气体,用于去除膜沉积后粘附在化学气相沉积炉内部的不必要的化学物质。如上所述,它还用于等离子体蚀刻设备中,以在光刻胶图案化之后蚀刻细槽或孔。

据悉,日本Stella Chemifa和Morita Chemical为三星和SK海力士提供高纯度的氟化氢。受此次禁运影响,韩国科技公司有可能改变从日本进口氟化氢的渠道。例如,Stella Chemifa在***芯片代工公司TSMC(TSM)附近设有工厂。

韩国氟化氢供应商包括Soulbrain和ENF Technology,后者拥有与Morita Chemical合资的Fem Technology 46%股权。

另外,三星和SK海力士也在考虑从中国进口氟化氢产品,以取代日本供应商,特别是纯度。如图1所示,中国向韩国供应了46.3%的蚀刻气体。

氟化聚酰亚胺,对三星Galaxy Fold的影响最小

透明聚酰亚胺(PI)膜是可折叠OLED的最流行的覆盖材料。聚酰亚胺薄膜是柔软的,因此在顶部和底部施加硬涂层以补偿。这种结构取代了传统的不可折叠LCD和OLED智能手机的钢化玻璃盖(如康宁大猩猩玻璃)。

同时,三星电子选择了日本住友化学作为可折叠智能手机的透明聚酰亚胺供应商。韩国Sumwoomo 100%子公司Dongwoo Fine-Chem将硬涂层应用于住友的PI膜。最初争夺赢得三星可折叠手机业务的是韩国Kolon Industries。

因此,来自日本的任何贸易限制对三星的影响微乎其微,原因有三:三星在科隆有一个替代来源,该公司一直在竞争这项业务;三星延迟推出Fold智能手机将使公司有时间评估其他来源;PI的替代方案正在评估中。这包括康宁(GLW)和朝日玻璃。

总结:日本对韩国的材料禁运对内存芯片和显示器的生产几乎没有影响。笔者认为日本对韩国的限制可能适得其反,韩国有可能会提高向日本销售存储芯片的价格或关税来启动对策,从而使全球内存市占为第三的美光以及新生的中国存储器市场受益。

同时,这场贸易战也是对韩国人的一次警告。他们弱小的本土化供应链无法创建一个半导体产业帝国。设备和材料供应链一环仍是其短板之一。

需要注意一点的是,日韩贸易争端开启之后,内存芯片市场NAND价格却上涨逾10%。此前多家主要内存芯片制造商的提振措施都无法改变低迷的全球存储市场。想想这是一件奇怪的事情。但对全球三大主要制造商三星,SK海力士和美光来说无疑是利好信息。至少价格上来了那么一丢丢!

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1681

    浏览量

    136115
  • 三星电子
    +关注

    关注

    4

    文章

    569

    浏览量

    40715
  • SK海力士
    +关注

    关注

    0

    文章

    957

    浏览量

    38472
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    SK海力士今年利润或超1303亿

    KB证券最新研究报告指出,SK海力士在英伟达(Nvidia)人工智能(AI)领域的强劲需求下,有望成为受益最大的企业之一。该机构不仅设定了28万韩元的目标股价,还明确给出了“买入”的投资建议,
    的头像 发表于 08-26 16:32 748次阅读

    SK海力士HBM营收暴涨250%

    韩国存储芯片巨头SK海力士近日发布了其截至2024年6月30的2024财年第二季度财务报告,这份报告展现出了公司在复杂市场环境下的强劲韧性与增长潜力。尽管全球股市,尤其是美股科技板块遭遇剧烈波动,导致
    的头像 发表于 08-05 11:25 751次阅读

    SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即

    韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生
    的头像 发表于 08-02 16:56 1084次阅读

    SK海力士考虑让Solidigm在美上市融资

    据最新消息,SK海力士正酝酿一项重要财务战略,考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股(IPO)。Solidigm作为SK
    的头像 发表于 07-30 17:35 938次阅读

    三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

    在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨
    的头像 发表于 05-22 14:54 563次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案

    在智能手机技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产品,无疑将为用户带来前所未有的使用体验。
    的头像 发表于 05-11 10:14 466次阅读

    SK海力士推出新一代移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

    今日,SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功研发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着
    的头像 发表于 05-09 11:00 590次阅读

    SK海力士发布NAND闪存解决方案,助力端侧AI手机发展

    SK海力士指出,“ZUFS 4.0是新一代移动端NAND闪存解决方案,具备行业内最高性能且专门针对端侧AI手机进行优化。”此外,公司还强调,“借助此产品,我们将在NAND闪存领域引领A
    的头像 发表于 05-09 09:30 399次阅读

    消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻设备

    SK 海力士正在与东京电子(TEL)展开紧密合作,通过发送测试晶圆来评估后者的低温蚀刻设备。这一举措旨在为未来的NAND闪存生产导入新技术。在当前,增加堆叠层数已经成为提高3D NAND
    的头像 发表于 05-08 11:47 576次阅读

    刚刚!SK海力士出局!

    来源:集成电路前沿,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 3月25消息,据报道,由于SK海力士部分工程出现问题,英伟达所需的12层HBM3E内存,将由三星独家供货,SK
    的头像 发表于 03-27 09:12 604次阅读

    SK海力士重组中国业务

    SK海力士,作为全球知名的半导体公司,近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道,SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局,计划关闭运营了长达17年的上海销售公司,并将其业务重
    的头像 发表于 03-20 10:42 1350次阅读

    SK海力士扩大对芯片投资

    SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过
    的头像 发表于 03-08 10:53 1212次阅读

    SK海力士斥资10亿美元,加码先进芯片封装研发以满足AI需求

    据封装研发负责人李康旭副社长(Lee Kang-Wook)介绍,SK海力士已在韩国投入逾10亿美元扩充及改良芯片封装技术。精心优化封装工艺是HBM获青睐的重要原因,实现了低功耗、提升性能等优势,提升了
    的头像 发表于 03-07 15:24 691次阅读

    铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成

    去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助
    的头像 发表于 02-18 16:06 523次阅读

    SK海力士持续投资无锡的原因

    无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。
    发表于 01-31 11:23 813次阅读