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MDD辰达半导体

匠人作 用良芯 高品质 选MDD

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动态

  • 发布了文章 2024-08-12 09:51

    高效率二极管如何识别判断

    高效率二极管在在电源管理和电能转换领域,主要特点是具有低正向压降和快速的开关速度,从而提高电路的整体效率。一、高效率二极管的基本特性高效率二极管与普通二极管相比,其主要特点在于正向压降较低和恢复时间较短。低正向压降意味着二极管在导通状态下会有较小的功率损耗,这对于电源转换电路尤为重要。此外,快速的恢复时间有助于减少开关损耗,适用于高频应用。常见的高效率二极管
  • 发布了文章 2024-08-08 10:41

    稳压二极管整流器件主要参数及影响因素

    稳压二极管是一种广泛应用于电子电路中的器件,具有稳定电压的作用。它的主要参数和影响因素直接决定了其在实际应用中的性能和适用范围。1.稳压电压(Vz)稳压电压是指稳压二极管在规定电流范围内保持的电压值。这个参数是稳压二极管的核心指标,通常由制造商在产品规格书中提供。稳压电压受二极管内在材料和制造工艺的影响。硅材料制造的稳压二极管常见的稳压电压范围在2.4V到2
  • 发布了文章 2024-08-07 10:17

    开关二极管整流器件主要参数及影响因素

    开关二极管在开关电源、逆变器和其他高频应用中。作为整流器件,开关二极管的性能直接影响电路的效率、可靠性和电磁兼容性。主要参数1.正向电压降(ForwardVoltageDrop,VF)正向电压降是指二极管在正向导通时的电压降。它是衡量二极管导通损耗的关键参数之一。较低的正向电压降可以减少导通损耗,提高系统效率。然而,正向电压降与开关速度往往是互相制约的,在设
  • 发布了文章 2024-08-05 17:13

    整流桥参数对封装的影响

    整流桥是将交流电转换为直流电的关键元件之一。其主要参数包括电流、电压、功率损耗、结温、热阻等,这些参数对整流桥的封装选择有直接影响。1.电流和电压电流和电压是整流桥的基本参数,决定了其应用范围。高电流和高电压的应用要求整流桥具备更强的散热能力和更高的耐压能力。因此,选择封装时,需要考虑以下几点:电流容量:封装的引脚和内部连接必须能够承受预期的电流。大电流应用
  • 发布了文章 2024-08-01 11:19

    快恢复二极管参数对封装选择的影响

    快恢复二极管因其能够在高频和高效能应用中提供优异的性能而广泛应用于开关电源、逆变器、驱动电路等领域。选择适当的封装对于充分发挥快恢复二极管的性能至关重要。1.反向恢复时间(trr)反向恢复时间是指二极管从导通状态转为反向截止状态所需的时间。对于快恢复二极管,反向恢复时间是衡量其性能的关键参数之一。较短的反向恢复时间可以减少开关损耗和电磁干扰,提高电路的效率和
  • 发布了文章 2024-07-31 10:46

    肖特基二极管参数对封装选择有什么影响

    肖特基二极管是一种广泛应用于电源管理、电压整流和开关电路中的电子器件。由于其低正向压降和快速开关速度,肖特基二极管在许多高频和高效电源转换应用中发挥着关键作用。然而,选择合适的封装对于优化肖特基二极管的性能至关重要。关键参数在选择适当的封装之前,需要了解一些关键参数:正向压降(ForwardVoltageDrop,Vf):肖特基二极管的正向压降通常较低,这使
  • 发布了文章 2024-07-29 11:10

    论稳压二极管的失效情况

    稳压二极管,又称齐纳二极管,是一种利用其反向击穿特性来稳定电压的半导体元件。在电子电路中,稳压二极管广泛应用于电源稳压、过压保护等场合。尽管设计和制造过程中采取了各种措施来提高其可靠性,但在实际应用中,稳压二极管仍可能发生失效。失效模式稳压二极管的失效模式主要包括以下几种:短路失效:二极管内部短路,导致在正反向电压下均呈现低阻抗。开路失效:二极管内部断裂或开
  • 发布了文章 2024-07-26 10:32

    开关二极管的失效分析

    开关二极管是一种在电子电路中常见的元件,广泛应用于高频和快速切换电路中。尽管它们通常被设计为可靠和耐用的元件,但在实际应用中,开关二极管也会发生失效。这些失效可能会导致电路性能下降,甚至是整个系统的故障。失效模式开关二极管的失效模式主要包括以下几种:短路失效:二极管内部结构损坏,导致正反向电阻都变得非常小,形成短路。开路失效:二极管内部断裂,导致电路中断。漏
  • 发布了文章 2024-07-24 11:29

    TVS二极管的失效分析

    TVS二极管是一种专用于保护电子电路免受瞬态电压冲击的器件。它在过压事件发生时会迅速导通,吸收瞬态能量,防止电路元件受损。然而,即使是高质量的TVS二极管也可能在使用中出现失效。一、TVS二极管的失效类型热失效:热击穿:在高温环境下或过大瞬态能量冲击下,TVS二极管的PN结可能会发生热击穿。热老化:长期在高温条件下工作,导致TVS二极管的材料性能退化,影响其
  • 发布了文章 2024-07-23 13:50

    快恢复二极管的优势有哪些?

    快恢复二极管因其快速恢复特性而在各种电子应用中广泛使用,与普通整流二极管相比,快恢复二极管具有许多独特的优势,使其在电源转换、开关电路和高频应用中成为首选。1.高速开关能力快恢复二极管的最大特点是其高速开关能力。普通整流二极管在反向恢复时,通常需要较长时间才能恢复到初始状态,而快恢复二极管的恢复时间(trr)通常在几十纳秒到几百纳秒之间。这种快速的恢复特性使

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认证信息: MDD辰达半导体

联系人:陈小姐

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公司介绍:      深圳辰达半导体是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。      公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。      公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。      展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

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