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• 发布了文章 2023-11-04 11:30

  SD NAND在PCB上的布局和走线要求

  

  SD NAND 芯片最好是要靠近host，这样可以让走线尽可能的短，减少干扰。

  NAND pcb PCB SD NAND

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• 发布了文章 2023-10-27 17:51

  SD NAND在STM32应用上的保姆级教程

  

  SDNAND与正点原子精英板的连接由于正点原子精英板没有SDNAND接口，只有TF卡接口，所以SDNAND需要用到转接板来连接。SDNAND正常运行现象本次实验的程序是正点原子的SD卡实验例程，先用读卡器把SDNAND接到电脑上，并复制一个文件进去，再插到开发板上；用送的数据线连接USBUART接口，下载好程序，打开电脑上的串口助手，按下KEY0，即可读取到

  NAND SD STM32

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• 发布了文章 2023-10-11 17:59

  SD NAND焊盘脱落原因分析

  

  SDNAND焊盘脱落现象在使用SDNAND的过程，难免有个芯片会出现焊盘脱落，如下图：从这个焊盘的放大图可以明显的看到焊盘有明显的拉扯痕迹，可以看出焊盘的脱落是受到外力导致的。在批量生产中也可能会连续的出现芯片焊盘脱落现象，这种情况一般会有明显的规律，如下图：焊盘脱落位置全部都集中在左侧，现象很一致，SDNAND的焊盘并不会轻易脱落，在实际生产中总会有各种各

  NAND SD 焊盘

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• 发布了文章 2023-10-07 16:05

  SD NAND供电电源的重要性

  

  下图是sd协议规定的上电规范，SDNAND的工作电压范围是2.7V-3.6V电源供电需要注意一下几个方面：1、为了确保芯片能正常上电复位，电压要在0.5V以下至少1ms；2、电源上升的时候需要保持电源是稳定的、是持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；3、主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下a最小周期为1ms。在断电期间，DAT,

  NAND SD 电源

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• 发布了文章 2023-09-21 14:19

  SD NAND关于3.3V和1.8V之间的转换

  

  SD NAND默认是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，为了适配1.8V，SD NAND需要内部用命令把3.3V转换成1.8V，下图是SD协议规范

  NAND SD 电子产品

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• 发布了文章 2023-08-28 14:18

  SD NAND使用注意事项和焊接/解焊温度

  

  散包装SDNAND的使用注意事项1、若购买散包装，请务必上线前120℃烘烤8小时。2、若物料没有全部使用，剩余部分请务必存放于氮气柜或抽真空保存，再次上线前请务必120℃烘烤8小时

  NAND SD TF卡

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• 发布了文章 2023-08-28 14:12

  SD NAND相对于NOR Flash的优势

  

  一、SDNAND和NORFlashSDNAND和NORFlash在不同的方面都有着不同的优劣势，SDNANDNORFlash成本SDNAND相对较便宜NORFlash相对较昂贵容量1Gb~512Gb512Kb-32Mb擦除写入速度SDNAND的读取速度较快，例如MK-米客方德8GB的MKDN032GIL-AA工业级pSLC芯片的实测读取速度可达42.8MBy

  FlaSh NAND SD

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• 发布了文章 2023-08-28 14:08

  SD NAND、SPI NAND和Raw NAND的比较

  

  SDNAND、SPINAND和RawNANDSDNANDSPINANDRawNAND接口SD/SPISPI并口ecc有有部分有坏块管理有————磨损平均有————垃圾回收有————掉电保护有————封装LGA-8/LGA-16WSON8TSOP48/BGA63SD卡、贴片式TF卡、贴片式T卡等，与eMMC类似，内部完成ECC校验、坏块管理、磨损平均、掉电保护

  NAND SD 测试座 转接板

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• 发布了文章 2023-08-02 08:15

  pSLC 闪存介绍：高性能和耐久性的闪存解决方案

  

  在当今科技时代，数据存储需求急剧增长，NAND闪存技术作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来，虚拟SLC（pSLC）闪存技术的引入，为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存的原理、优势以及在不同领域中的应用。什么是pSLCpSLC是一种虚拟的SLC技术，通过采用特殊的控制算法和管理方法，在MLC或TLC闪存芯片上模拟SLC存储单元。1

  NAND 存储 闪存

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• 发布了文章 2023-07-25 14:34

  关于存储的TBW和写入放大

  

  TBW（Total Bytes Written）是衡量闪存存储器寿命和耐用性的重要指标。但由于写入放大的影响，实际TBW值可能会偏离理论值。本文将介绍TBW的概念以及写入放大系数，并探讨如何降低写入放大对存储器的影响。

  microSD 存储

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