近日，SK海力士对外宣布了一项重大技术突破——成功实现了全球最高的321层1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的量产。这一里程碑式的成就不仅彰显了SK海力士在半导体存储技术领域的深厚底蕴，也标志着全球NAND闪存技术迈入了一个新的发展阶段。 据SK海力士介绍，此次量产的321层NAND闪存采用了先进的4D堆叠技术，实现了前所未有的存储密度和性能提升。与之前的产品相比，321层NAND闪存不仅具有更高的存储容量，还在读写速度、耐用性等方

近日，据TrendForce集邦咨询最新报告，2023年全球DRAM内存模组市场整体营收降至125亿美元(约904.83亿元人民币)，同比降幅达28%。这一下滑趋势主要归因于消费电子产品的库存消化，导致DRAM内存产品价格大幅下滑。同时，三星电子、SK海力士和美光等三大DRAM内存原厂的高产能利用率策略进一步加剧了价格下跌，直至2023年下半年市场才初现反弹迹象。 在全球DRAM模组厂营收排名中，金士顿Kingston以68.8%的市场份额稳居榜首，连续21年保持市场领先地位。嘉合劲威

作为长江存储进军商用消费级PC市场的首款QLC固态硬盘力作，PC41Q搭载了先进的第四代三维闪存芯片，并配备了PCIeGen4×4高速接口，官方数据显示其最大顺序读取速度高达5700MB/s。从技术规格来看，PC41Q无疑定位于主流市场。这款产品采用了HMB（HostMemory Buffer）技术，实现了无独立缓存的设计。上篇文章，我们测试了PC41Q的性能。本篇文章，我们将从功耗和协议的角度，深入探讨这款SSD的表现。

内存(DRAM-Random Access Memory)作为当代数字系统最主要的核心部件之一，从各种终端设备到核心层数据处理 和存储设备，从各种消费类电子设备到社会各行业专用设备，是各种级别的 CPU 进行数据处理运算和缓存的不可或缺的周转“仓库”，一个强大的核心处理单元也必须配备一个高速运转的宽通路的数据访问和存储单元。 存储芯片基本分类。存储器主要分为只读存储器 ROM 和随机存取存储器 RAM （random access memory） 两大类。 -ROM：只读存储器 - ROM 所存数据

众所周知，NVMe 是一个逻辑设备接口规范，NVM代表非易失性存储器（Non-Volatile Memory）的首字母缩略字，是固态硬盘（SSD）的常见的闪存形式。SSD 通常分为两类接口：SATA 和 NVMe。在需要兼容旧组件且性能不是首要考虑因素时，SATA 接口在新一代驱动器中依然可用。SATA 诞生于2000年，原本是为配备旋转盘片和磁头的传统硬盘设计的。 虽然这类设备能够提供稳定的数据吞吐量，但由于包含大量机械组件，每次读/写操作都会带来很明显的延迟。这些硬件上的局

  一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 时代的必需品作为行业主流存储产品的动态随机存取存储器 DRAM 针对不同的应用领域定义了不同的产 品，几个主要大类包括 LPDDR、DDR、GDDR 和 HBM 等，他们虽然均使用相同的 DRAM 存储单 元（DRAM Die），但其组成架构功能不同，导致对应的性能不同。手机、汽车、消费类等 对低功耗要求高主要使用 LPDDR，服务器和 PC 端等有高传输、高密度要求则使用 DDR，图 形处理及高算力领域对高吞吐量、高带宽、低功耗等综合性要求极高

CoughlinAssociates和ObjectiveAnalysis发布了关于新兴非易失性存储器的2024年报告《深入研究新存储器》。这些存储器包括磁性随机存取存储器MRAM；电阻式随机存取存储器ReRAM；铁电随机存取存储器FRAM；以及相变存储器PCM。这些新兴存储器的未来取决于技术特性、现有大容量存储器的发展以及发展规模经济。在这个市场中，规模经济

虽然 EEPROM 相对 Flash 读写速度更慢，但 EEPROM 一些独有特性是 Flash 无法实现的，比如字节读写操作。 所以，EEPROM至今依然应用在很多电子设备上，而且市场还不小。 这里就给大家分享一款EEPROM轻量级的简易类文件的数据读写库：EEPROMFS 1 关于EEPROMFS EEPROMFS，基于EEPROM的简易类文件的数据读写库，方便做动态功能增减时参数管理。 增减参数块类似增减文件，不会对已有数据存储带来影响。EEPROM硬件资源充裕的情况下使用。 开源地址： https://gitee.com/wtau_z

众所周知，存储芯片是半导体产业里的一大分支，而且随着信息时代的到来，地位越来越重要。近十年来，存储器的市场规模步步攀升，现在已经占到了半导体总体的30%多。今天就来浅浅地聊一下存储器。 其实，“存储”虽然是个偏技术的名词，但也是一个非常浪漫的词，是人类保存文明所必不可少的过程。最古老的存储器可能是石器和甲骨，再然后是纸和笔，再到磁带、光盘和U盘等等。最后这三类，就是技术时代的三种存储介质：磁性存储器、光学存储器和存储芯片。

概述 DDR（Double Data Rate）和LPDDR（Low Power Double Data Rate）是动态随机存取存储器（DRAM）技术的重要分支，广泛应用于计算机和移动设备中。尽管同属DDR SDRAM家族，但它们在设计目标和应用场景上存在显著差异。   DDR SDRAM ·应用场景：主要用于桌面电脑、笔记本电脑、服务器等设备，强调性能和带宽。 ·特点：提供高数据传输速度，适合需要高性能内存的应用场景，如游戏PC、高性能工作站和服务器。     ·电压与功耗：相对于LPDDR，标准DDR的功耗较高，但

在高性能图形处理领域，内存技术起着至关重要的作用。本文介绍两种主要的图形内存技术：高带宽内存（HBM）和图形双倍数据速率（GDDR），它们在架构、性能特性和应用场景上各有千秋。通过对比分析，本文旨在为读者提供对这两种技术的深入理解，帮助在不同的应用需求中做出更明智的选择。

随着科技的迅速发展，数据传输的需求正呈指数级增长，MCIO接口作为新型的接口技术被广泛应用，新型的电脑主板日益倾向集成MCIO接口（MCIO又称，MiniCoolEdgeIO，也叫SFF-TA-1016，该技术通过融合多物理通道为单一高速数据流通道，满足了未来高速信号传输需求，兼容PCIe、CXL等多种协议，无缝对接新一代技术标准如PCIe6.0）。同时，随

NAXIANGTECHNOLOGY纳祥科技NX24C02AEEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory)，带电可擦可编程只读存储器。它是一种特殊的存储芯片，它允许在有电源的情况下进行多次擦除和编程操作，而数据一旦保存，即使断电也不会丢失。因其具有存储信息可靠性高、擦写次数多的特点，广泛

无论对于芯片设计商还是器件制造商来说，DDR内存可谓是无处不在——除了在服务器、工作站和台式机中之外，还会内置在消费类电子产品、汽车和其他系统设计中。每一代新的 DDR（双倍数据速率）SDRAM（同步动态随机内存）标准都会在许多方面带来显著改进，包括速度、尺寸和功率效率。   一、DDR是什么? DDR概述 DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，双数据率同步动态随机存储器）,简称为DDR, 简单的说就是双倍传输速率的SDRAM。普通

近日，三星电子计划在韩国忠清南道天安市的现有封装设施基础上，再建一座半导体封装工厂，专注于HBM(High Bandwidth Memory，高带宽存储器)等内存产品的生产。据悉，三星电子将以租赁方式获得三星显示的一座大楼，并计划在三年内完成该建筑的半导体后端加工设备导入。 此次扩建工厂的背景是，三星正在为微软和Meta等科技巨头供应量身定制的HBM4内存。微软和Meta分别推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，对高性能内存有着迫切需求，而三星的定制化HBM4内

  “  256GB 现已上市，512GB 将于 11 月底上市。   ” Raspberry Pi SSD 可以为 Raspberry Pi 5 或其他设备上的 I/O 密集型应用带来出色的性能，包括从 SSD 启动时的超快启动速度。它是一款可靠、反应灵敏且符合 PCIe Gen 3 标准的高性能固态硬盘，能够快速传输数据，有 256GB 和 512GB 两种容量可供选择。 需要兼容 Raspberry Pi 5 的 M.2 适配器，如 Raspberry Pi M.2 HAT+。 入门级 256GB 硬盘单机售价 30 美元，套装售价 40 美元；512GB 硬盘单机售价 45 美元，套装售价 55 美元。256G

美光是内存业务的主要参与者之一，包括分别用于SSD和RAM的NAND和DRAM。 “我们三巨头，海力士、我们、三星，都在花费大量的精力和财力打造HBM 产品，”美光消费者与组件集团副总裁兼总经理Dinesh Bahal说。 HBM，即高带宽内存，是一种与数据中心 GPU 一起使用的产品。它的专长是大带宽，这对计算尤为重要。您可能还记得 AMD 曾经尝试在游戏显卡 Vega 中使用 HBM 内存，尽管它最终被认为过于昂贵，并且不一定足以与 GDDR5/6 相比发挥作用。

做嵌入式系统软件开发，经常在代码中看到各种各样的对齐，很多时候我们都是知其然不知其所以然，知道要做好各种对齐，但是不明白为什么要对齐，不对齐会有哪些后果，这篇文章大概总结了内存对齐的理由。

存储领域发展至今，已有很多不同种类的存储器产品。下面给大家介绍几款常见的存储器及其应用： 1 NANDNAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。 NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。 根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到

在数字化转型和智能化升级的大背景下，数据的处理和计算能力的部署正逐渐向网络边缘和设备边缘转移。这种转变不仅能够显著降低应用的响应延迟，确保数据安全，还能够减少对集中式云服务和核心网络的依赖，同时提升对多样化应用场景的适应性和服务能力。随着大模型和人工智能领域的快速发展，算力需求将愈发成为制约企业转型、成长的因素。 从边缘计算向边缘智算迈进 随着边缘计算逐步进入稳健发展期，使用单一边缘计算技术构建的应用