MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 开关速度快
■ 提升了dv/dt能力
■ 100%雪崩测试
■ 无铅管脚镀层
■ 符合RoHS环保标准
SVG032R4NL5N关键特性参数
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,具有100A、30V的电流、电压,RDS(on) = 2.0mΩtyp) ,封装、参数和PKC26BB基本一致,可兼容替代尼克森PKC26BB,广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
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