广州万智光学技术有限公司

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• 发布了文章 2024-12-20 09:50

  带冷却功能的新型晶圆研磨盘技术

  

  带冷却功能的新型晶圆研磨盘技术是半导体制造领域中的一项重要创新，旨在解决传统研磨盘在研磨过程中温度变化的问题，确保研磨后产品的厚度和平整度达到极高标准。以下是对该技术的详细介绍： 一、技术背景 在半导体制造过程中，晶圆研磨是一个至关重要的环节。然而，传统研磨盘在长时间研磨过程中，由于摩擦产生的热量无法及时散发，导致研磨盘温度升高，进而影响研磨效果和产品质量

  半导体 晶圆

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• 发布了文章 2024-12-19 09:54

  晶圆背面涂敷工艺对晶圆的影响

  

  一、概述 晶圆背面涂敷工艺是在晶圆背面涂覆一层特定的材料，以满足封装过程中的各种需求。这种工艺不仅可以提高芯片的机械强度，还可以优化散热性能，确保芯片的稳定性和可靠性。 二、材料选择 晶圆背面涂敷工艺中常用的材料包括： 芯片粘结剂：作为浆料涂覆到晶圆背面，之后再烘干。采用这种方法，成本较低，同时可以控制键合层厚度并且提高单位时间产量。 WBC胶水：其成分

  晶圆 测厚

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• 发布了文章 2024-12-18 09:47

  高台阶基底晶圆贴蜡方法

  

  高台阶基底晶圆贴蜡方法是半导体制造中的一个关键步骤，特别是在处理具有高阶台金属结构的晶圆时。以下是一种有效的高台阶基底晶圆贴蜡方法： 一、方法概述 该方法利用胶厚和蜡厚将高台阶填平，并使用较轻的物理压力以及抽真空技术来确保晶圆与陶瓷盘之间的紧密贴合。此方法不仅有效避免高台阶金属被压碎，还能保证晶圆片内厚度偏差（TTV）值在可接受范围内。 二、具体步骤 匀

  半导体 晶圆

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• 发布了文章 2024-12-17 10:01

  晶圆的TTV，BOW，WARP，TIR是什么？

  

  晶圆的TTV、BOW、WARP、TIR是评估晶圆质量和加工精度的重要指标，以下是它们的详细介绍： TTV（Total Thickness Variation，总厚度偏差） 定义：晶圆的总厚度变化，指晶圆在其直径范围内的最大和最小厚度之间的差异。 测量方法：晶圆在未紧贴状态下，测量晶圆中心点表面距离参考平面的最小值和最大值之间的偏差，偏差包括凹形和凸形的情况

  Warp 测厚

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• 发布了文章 2024-12-16 09:21

  提高SiC晶圆平整度的方法

  

  提高SiC（碳化硅）晶圆平整度是半导体制造中的一个重要环节，以下是一些提高SiC晶圆平整度的方法： 一、测量与分析 平整度检测：首先，使用高精度的测量设备对SiC晶圆的平整度进行检测，包括总厚度变化（TTV）、局部厚度变化（LTV）、弯曲度（Bow）和翘曲度（Warp）等指标。这些测量数据将为后续的加工提供基准。 数据分析：根据测量数据，分析SiC晶圆的不

  SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-13 11:04

  单面抛光吸附垫是什么？

  

  单面抛光吸附垫是抛光技术领域中的一种重要配件，主要用于晶圆等半导体材料的单面抛光过程中。以下是对单面抛光吸附垫的详细介绍： 一、定义与功能 单面抛光吸附垫是指放置在抛光机器上的一层具有吸附性的材料，通常为橡胶或其他特殊材质制成。它的主要功能是吸附抛光过程中产生的粉尘和碎屑，防止它们进入机器内部导致故障，同时确保抛光面的清洁和平整，从而提高抛光效率和产品质量

  半导体 抛光 晶圆

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• 发布了文章 2024-12-12 10:06

  晶圆单面抛光的装置及方法

  

  晶圆单面抛光的装置及方法主要涉及半导体设备技术领域，以下是对其详细的介绍： 一、晶圆单面抛光装置 晶圆单面抛光装置通常包含以下关键组件： 工作台：作为整个抛光装置的基础，用于支撑和固定其他组件。工作台下方通常设置有伺服电机，用于提供抛光过程中的动力。 控制电箱：用于控制抛光装置的各项参数和功能，确保抛光过程的稳定性和准确性。 转盘：放置在工作台的开槽上，

  半导体 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-11 09:50

  单面磷化铟晶片的制备方法有哪些？

  

  单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤： 一、基本制备流程 研磨：采用研磨液对InP（磷化铟）晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化铝）和悬浮剂，其中Al2O3的粒径通常在400~600目范围内，研磨液的流量控制在500~800mL/min，研磨压力为3~5psi。 一次腐蚀：对InP晶片进行湿法化学腐蚀，以去除黏附在晶片表面的研磨磨料，并释放

  晶片 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-10 09:55

  控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法有哪些？

  

  控制12寸再生晶圆双面抛光平坦度的方法主要包括以下几种： 一、采用先进的抛光设备和技术 双面抛光设备： 使用双面抛光设备对晶圆进行加工，这种设备能同时控制工件的两面，有效地避免应力差与粘结误差引起的变形问题。 化学机械抛光（CMP）技术： CMP技术结合了化学腐蚀和机械研磨的双重作用，可以在晶圆表面形成一层化学反应层，并通过机械研磨去除这层反应层，从而实现

  半导体 晶圆 碳化硅

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• 发布了文章 2024-12-06 14:11

  基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法有哪些？

  

  基于石英玻璃外延GaN的工艺改进方法主要包括以下几个方面： 一、晶圆片制备优化 多次减薄处理： 采用不同材料的浆液和磨盘对石英玻璃进行多次减薄处理，可以制备出预设厚度小于70μm且厚度均匀性TTV为±0.5μm的晶圆片结构。 这种方法避免了石英玻璃本身机械性能脆弱易导致晶圆片结构碎裂的风险，同时保证了晶圆片结构正面电路的完整性。 抛光处理： 对多次减薄处理

  GaN 石英玻璃 碳化硅

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