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深圳市骊微电子科技

芯朋、士兰、启臣、富满、铨力、超致、芯控源等代理,提供电源芯片/驱动芯片、MOS、IGBT、二三极管等电子料,免费试样,提供技术支持!

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深圳市骊微电子科技文章

  • NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN82132022-05-17 11:16

    自从小米发布了旗下第一款采用GaN技术的充电器,市场上便掀起了GaN“快充风”,目前国内市场上手机、笔记本、平板等电子产品的GaN快充产品的核心器件—GaN驱动IC,基本上都依赖进口,骊微电子推出NCP1342驱动氮化嫁国产替代芯片—PN8213,适用于65W氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代芯片PN8213特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,
    驱动 1642浏览量
  • NCP1342替代料PN8213 65W氮化镓pd充电器方案2022-05-07 11:36

    氮化镓快充已然成为了当下一个非常高频的词汇,在氮化镓快充市场迅速增长之际,65W这个功率段恰到好处的解决了大部分用户的使用痛点,从而率先成为了各大品牌的必争之地,ncp1342替代料PN8213氮化镓充电器主控芯片,适用于65w氮化镓充电器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■内置高压启动电路■供电电压9~57V,适合宽输出电压应用■Valle
    充电器 1384浏览量
  • 30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL52022-05-04 16:41

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管,可兼容替代尼克森PKC26BB。PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点■100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输
    MOS管 1220浏览量
  • 降压eup3270芯片4A输出QC3.0快充方案2022-04-28 15:07

    EUP3270是一款能够驱动4A连续负载并带有优良线性和负载调整率的的同步降压型变换器,故障保护包括电流限制,短路保护和热关断。内部软启动系统能够在芯片启动过程实现小的浪涌电流和输出过冲。降压eup3270芯片特点■4.5V到30V宽输入电压范围■80KHz到800KHz的的开关频率可调■CC/CV的模式控制■达到4A的输出电流■+/-1.5%电压基准精度■
    芯片 921浏览量
  • 60v mos管ao4264E/VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-26 17:32

    SVGP069R5NSA采用sop-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,14A、60V的电流、电压,RDS(on)=8.0mΩ(typ),最高栅源电压@VGS=±20V,典型应用于10W-44W快充。60vmos管SVGP069R5NSA特点■开关速度快■提升了dv/dt能力■低栅极电荷■低反向传输电容■14A,60V,RDs(o
    MOS管 903浏览量
  • 60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA2022-04-21 17:38

    MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效应管是市面上最常见之一,在实际使用的过程中,MOS管既可用于放大电流,又可以作为电子开关。SVGP069R5NSA贴片mos60v特点■14A,60V,RDs(on)(典型值)=8.0mΩ@Vcs=10V■低栅极电荷■低反向传输电容■开关速度快■提升了dv/dt能力SV
    MOS管 1044浏览量
  • hy1710场效应管代换料APG042N01 145a 100v mos管2022-04-14 16:50

    MOS管是电子制造的基本元件,不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管及功能和特性有所不同,影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容等,同一类型不同品牌间耐压、导通电阻、封装基本一致的话也可相互兼容代换的。hy1710场效应管代换料APG042N01特征■100V,145A,RDs(on)>
    MOS管 978浏览量
  • 100v p型mos管to252封装UTT50P10参数2022-04-06 16:52

    MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;Pmos管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电平就完全导通,高电平就完全截止。100vp型mos管UTT50P10特点■VDS=-100V■ID=-50A■RDS(ON)≤60mΩ@VGS=-10V,ID=-20A■开关速度快100vpmos管参数UTT50P10100vpm
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  • PN8015交直流转换芯片5V0.2A风扇应用2022-01-10 15:44

    PN8015集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,输出电压3.3V~24V可通过FB电阻调整,适用于Buck、Buck-Boost、Flyback等多种架构,广泛应用于非隔离辅助电源、家电、智能家居、LED等领域。PN80155V0.2A风扇应用方案:■输入电压:90~265V■输出功率:≤1W■输出电压电流:5V/0.2A■拥有可恢复短路保护,输出过载保护。电源板输出5V、2
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  • LNK364代用芯片PN8192C电磁炉/微波炉芯片2022-01-08 09:43

    PN8192C是一款高性能、外围元器件精简、低功耗的交直流转换电源,集成PFM控制器以及730V高可靠性MOSFET,可以兼容替代LNK364,广泛应用于家电、LED照明、工业控制等领域。LNK364替代芯片PN8192C特征■内置730V高可靠性MOSFET■内置高压启动和自供电电路■DIP7封闭式稳态输出功率5.5W@230VAC■SOP7封闭式稳态输出功率5W@230VAC■无需环路补偿■适
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