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PDS工艺和低温导电银浆简介2022-05-18 19:06
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烧结银选购22条军规2022-04-15 13:42
烧结银选购22条军规烧结银在实际应用中也有着千差万别的要求，因此正确选择烧结银就成为在电子和光电器件生产工艺中关键的环节。善仁新材根据多家客户选择烧结银的经验，把烧结银的选择条件总结如下，供爱好者参考。AS9385烧结银1烧结银烧结条件（Sinteringconditions）（无压、加压）2烧结银固化速度和时间（CureTime）3过程是否需要气体保护（Gasprotection）4气体类型（G导电胶 842浏览量 -
IGBT应用领域和IGBT烧结银工艺2022-04-13 15:33
IGBT应用领域和IGBT烧结银工艺自20世纪80年代末开始工业化应用以来，IGBT发展迅速，不仅在工业应用中取代了MOS和GTR，还在消费类电子应用中逐步取代了BJT、MOS等功率器件的众多应用领域，甚至已扩展到SCR及GTO占优势的大功率应用领域。作为新型功率半导体器件的主流器件，IGBT是国际上公认的第三次革命最具代表性的电力电子技术产品。SHAREX善仁新材研究院统计：IGBT器件已广泛应导电胶 1174浏览量 -
烧结银sinter paste烧结机理2022-04-09 11:03
烧结银sinterpaste烧结机理纳米粉末颗粒烧结不同于传统冶金，是将纳米金属颗粒在低于其块体金属熔点的温度下连接形成块体金属烧结体的现象，是一个复杂的物理、化学和冶金过程。它的目的是将粉末颗粒通过原子扩散连接的方法转变成块状材料。纳米银的烧结过程中，一个重要的理论是固态烧结的扩散机制。纳米银低温烧结机制属于固相烧结，是通过原子间的扩散作用而形成致密化的连接，根据扩散而实现的动力学过程。从热力学导电胶 1859浏览量 -
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别2022-04-08 10:11
无压烧结银工艺和有压烧结银工艺流程区别如何降低纳米烧结银的烧结温度、减少烧结裂纹、降低烧结空洞率、提高烧结体的致密性和热导率成为目前研究的重要内容。烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：一AS9375无压烧结银工艺流程：1清洁粘结界面2界面表面能太低，建议增加界面表面能3粘结尺寸过大时，建议一个界面开导气槽4一个界面涂布烧结银时，导电胶 1484浏览量 -
AlwayStone AS9375不同于传统银烧结产品2022-04-02 17:46
为响应第三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的无压低温银烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStoneAS9375是一款使用了银烧结技术的无压纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于SiC和高功率LED芯片封装，激光控制芯片等大功率模块，并且开创了220度烧结的低温无压烧结银的先河。AS半导体 471浏览量 -
银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度2022-04-02 02:25
低温无压：银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度，然后材料中的银颗粒聚集结合，并实现颗粒之间的结合强度。传统银烧结采用对材料或设备加压、加热直至形成金属接点的方法。然而，在半导体封装领域，这种加压技术的应用必然会碰到芯片破损或者产能不足的问题，因为客户必须在资本密集型的芯片粘接设备上单个独自地生产。然而，AlwayStoneAS9375不同于传统银烧结产品半导体 5092浏览量 -
AlwayStone AS9375是一款使用了银烧结技术的无压纳米银2022-04-02 02:23
为响应第三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的无压低温银烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStoneAS9375是一款使用了银烧结技术的无压纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于SiC和高功率LED芯片封装，激光控制芯片等大功率模块，并且开创了220度烧结的低温无压烧结银的先河。AS半导体 886浏览量 -
烧结银9大特点解决客户的4大痛点2022-03-29 16:12
烧结银9大特点解决客户的4大痛点善仁新材作为全球低温无压烧结银的领导品牌，一直引领低温烧结温度，从客户要求的220度，到200度，到180度，到170度。170度烧结是目前已知的全球低温烧结银的极限温度。善仁新材批量化供货的烧结银得到客户的一直好评。善仁新材开发的耐高温低温烧结银AS9375具有以下9大特点：1低压或者无压烧结2低温工艺：烧结温度可以在120度3高导热率：导热率可达260W/mK4导电胶 3589浏览量
