新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7
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1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列
产品型号：
IGQ120N120S7
IGQ100N120S7
IGQ75N120S7
IKQ120N120CS7
IKQ75N120CS7
IKZA40N120CS7
8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，配EC7续流二极管。它具有低饱和压降VCEsat，以实现目标应用中非常低的导通损耗。
续流二极管EC7是特性非常软的二极管，有助于最大限度地减少开关损耗，从而实现整体的低总损耗。
产品特点
非常低饱和压降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175◦C)
良好的可控性
软特性优化的全额定电流的续流二极管
对恶劣条件鲁棒性和HV-H3TRB
短路时间为8µs
非常窄的参数分布
最大工作Tj为175°C
特性图
动态特性和静态特性
应用价值
IGBT的损耗最低，系统效率高，可实现更高的功率输出
更高的功率密度，无需重新设计散热器
可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列
在恶劣的工作条件下，器件可靠性高
易于设计以满足EMI要求高可靠性和耐久性
竞争优势
总损耗较低产品，从8A到120A的额定电流
生产中非常窄的参数分布，以保证英飞凌的质量标准
抗湿度坚固性
英飞凌是功率半导体领域的佼佼者，拥有世界一流的前道和后道能力
世界级的生产、质量和业务连续性支持
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