电容自举电路电路图（三） - 电容自举电路电路图大全（六款电容自举电路设计原理图详解）

电容自举电路电路图（三）

OTL功率放大器中要设自举电路，图3所示是自举电路。电路中的C1，R1和R2构成自举电路。C1为自举电容，R1O 隔离电阻，R2将自举电压加到VT2基极。B140-13-F VT1集电极信号为正半周期间VT2导通、放大，当输入VT2基极的信号比较大时，VT2基极信号电压大，由于VT2发射极电压跟随基极电压，VT2发射极电压接近直流工作电压+V，造成VT2集电极与发射极之间的直流工作电压减小，VT2容易进入饱和区，使三极管基极电流不能有效地控制集电极电流。

图3

（1）换句话讲，三极管集电极与发射极之间直流工作电压减小后，基极电流增大许多才能使三极管集电极电流有一些增大，显然使正半周大信号输出受到抑制，造成正半周大信号的输出不足，必须采取自举电路来加以补偿。自举电路实质是在放大器的局部引入正反馈。

（2）自举电路静态分析。静态时，直流工作电压+V经Rl对Cl充电，使Cl上充有上正下负的电压UC1，这样电路中B点的直流电压等于A点的直流电压加上UC1，B点的直流电压高于A点电压。

（3）自举过程分析。加入自举电路后，由于Cl容量很大，它的放电回路时间常数很大，使Cl上的电压Uci基本不变。正半周大信号出现时，A患电压升高导致B点电压也随之升高。电路中，B点升高的电压经R2加到VT2基极，使VT2基极上的信号电压更高（正反馈过程），有更大的基极信号电流激励VT2，使VT2发射极输出信号电流更大，补偿VT2集电极与发射极之间直流工作电压下降而造成的输出信号电流不足。

（4）隔离电阻作用。自举电路中，Rl用来将B点的直流电压与直流工作电压+V隔离，使B点直流电压有可能在某瞬间超过+ Vo当VT2中正半周信号幅度很大时，A点电压接近+V，B点直流电压更大，并超过+V，此时B点电流经Rl流向电源+V（对直流电源+V充电）。如果没有电阻Rl的隔离作用（分析视Rl短接），则B点直流电压最高为+V，而不可能超过+V，此时无自举作用。可见设置隔离电阻Rl后，大信号时的自举作用更好。

电容自举电路电路图（四）

（1）存在问题

上述情况是理想的。实际上，图１的输出电压幅值达不到Vom= Vom/2，这是因为当vi为负半周时，T1导电，因而iB1增加，由于RC3上的压降和VBE1的存在，当K点电位向+VCC接近时，T1的基流将受限制而不能增加很多，因而也就限制了T1输向负载的电流，使RL两端得不到足够的电压变化量，致使Vom明显小于VCC/2。

（2）改进办法

如果把图１中D点电位升高， 使VD＞+VCC， 例如将图中D点与+VCC的连线切断，VD由另一电源供给，则问题即可以得到解决。通常的办法是在电路中引人R3、C3等元件组成的所谓自举电路，如图１所示。

（3）自举电路的作用

静态时

当R3C3足够大时，VC3不随vi变化，可认为基本不变。这样，当vi为负时，T1导电， vK将由VCC/2向更正方向变化， 考虑到vD=vC3+vK= VC3+vK，显然，随着K点电位升高，D点电位vD也自动升高。 因而，即使输出电压幅度升得很高，也有足够的电流iB1，使T1充分导电。这种工作方式称为自举，意思是电路本身把vD提高了。